اخبار

کوره های رشد کریستالی کاربید سیلیکون (SIC) نقش مهمی در تولید ویفرهای SIC با کارایی بالا برای دستگاه های نیمه هادی نسل بعدی دارند. با این حال ، فرایند رشد کریستال های SIC با کیفیت بالا چالش های قابل توجهی را نشان می دهد. از مدیریت شیب های حرارتی شدید گرفته تا کاهش نقص کریستال ، اطمینان از رشد یکنواخت و کنترل هزینه های تولید ، هر مرحله به راه حل های پیشرفته مهندسی نیاز دارد. در این مقاله چالش های فنی کوره های رشد کریستال SIC از دیدگاه های مختلف مورد تجزیه و تحلیل قرار خواهد گرفت.

Smart Cut یک فرآیند تولید نیمه هادی پیشرفته مبتنی بر کاشت یون و سلب ویفر است که به طور خاص برای تولید ویفرهای فوق العاده نازک و بسیار یکنواخت 3C-SIC (کاربید سیلیکون مکعب) طراحی شده است. این ماده می تواند مواد کریستالی فوق العاده نازک را از یک بستر به دیگری منتقل کند ، در نتیجه محدودیت های بدنی اصلی را بشکند و کل صنعت بستر را تغییر دهد.

در تهیه بسترهای کاربید سیلیکون با کیفیت بالا و با بازده بالا ، هسته نیاز به کنترل دقیق دمای تولید توسط مواد میدان حرارتی خوب دارد. در حال حاضر ، کیت های قابل حمل میدان حرارتی که عمدتا مورد استفاده قرار می گیرد ، اجزای ساختاری گرافیتی با خلوص بالا هستند که عملکرد آنها گرم کردن پودر کربن مذاب و پودر سیلیکون و همچنین برای حفظ گرما است.

وقتی نیمه هادی های نسل سوم را می بینید ، مطمئناً تعجب خواهید کرد که نسل های اول و دوم چیست. "نسل" در اینجا بر اساس مواد مورد استفاده در ساخت نیمه هادی طبقه بندی می شود.

چاک الکترواستاتیک (ESC) ، همچنین به عنوان چاک الکترواستاتیک (ESC ، E-Chuck) شناخته می شود ، یک فیکسچر است که از اصل جذب الکترواستاتیک برای نگه داشتن و رفع مواد جذب شده استفاده می کند. برای محیط های خلاء و پلاسما مناسب است.

حامل های ویفر SIC ، به عنوان مواد مصرفی اصلی در زنجیره صنعت نیمه هادی نسل سوم ، ویژگی های فنی آنها به طور مستقیم بر عملکرد رشد اپیتاکسیال و تولید دستگاه تأثیر می گذارد. با افزایش تقاضا برای دستگاه های با ولتاژ بالا و درجه حرارت بالا در صنایعی مانند ایستگاه های پایه 5G و وسایل نقلیه انرژی جدید ، اکنون تحقیق و کاربرد حامل های ویفر SIC با فرصت های توسعه قابل توجهی روبرو هستند.