اخبار

تجزیه و تحلیل عمیق علل زرد شدن لبه و لایه برداری پوشش کاربید سیلیکون بر روی گیرنده های گرافیت اپیتاکسی MOCVD. VeTek با کنترل دقیق میزان رسوب اولیه CVD و میدان جریان، افزایش بازده پوشش از 50٪ به 90٪ و افزایش عمر مفید قطعات گرافیتی با خلوص بالا، ریز استرس را حذف کرد.

VeTek Semi با توجه به تغییر ضخامت 1.4 درصدی ضخامت جیب به جیب در گیره‌های گرافیت اپیتاکسی سیلیکونی چند جیبی، صافی گیره را به <0.08 میلی‌متر بهبود داد و تغییرات را به 0.69 درصد از طریق شبیه‌سازی میدان جریان CVD و پوشش فوق‌العاده دقیق SiC کاهش داد.

بیاموزید که چگونه Vetek ترک های شعاعی را در گیرنده های گرافیت پوشش داده شده با SiC سایز بزرگ MOCVD حذف کرد. طراحی مجدد بافر تنش ساختاری و تطبیق CTE عمر سرویس را تا 300% + افزایش داد.

یک دهه تکامل SiC - از اولین چالش های تجاری سازی 4 اینچی تا انتقال ویفر 8 اینچی امروزی. کشف کنید که چگونه پوشش‌های CVD SiC، مواد جامد SiC و TaC، تولید نیمه‌رسانا قابل اعتماد را امکان‌پذیر می‌سازند.

بیاموزید که چگونه گیرنده‌های گرافیتی با پوشش سی‌وی‌دی CVD با بهبود یکنواختی حرارتی، کاهش آلودگی و افزایش عمر قطعات در تولید نیمه‌رساناهای SiC، GaN، LED و سیلیکون، رشد هم‌پایه را افزایش می‌دهند.

کشف کنید که چگونه بخاری های گرافیتی با پوشش TaC باعث افزایش یکنواختی دما، کاهش مصرف انرژی و افزایش طول عمر در اپیتاکسی GaN MOCVD در مقایسه با بخاری های معمولی با پوشش pBN می شوند.

کشف کنید که چگونه پوشش CVD TaC رشد کریستال SiC را در کوره های PVT با کاهش آلودگی کربن، محافظت از اجزای گرافیت، افزایش عمر مفید و افزایش کیفیت کریستال برای ساخت نیمه هادی های پیشرفته بهبود می بخشد.

کشف کنید که چرا پوشش CVD TaC به راه حل محافظ ترجیحی برای اجزای گرافیت نیمه هادی تبدیل شده است. با مزایا، کاربردهای آن در رشد کریستال SiC، GaN MOCVD، و حامل های ویفر و چگونگی بهبود دوام، خلوص و ثبات فرآیند آشنا شوید.

بیاموزید که چگونه حلقه‌های گرافیتی با پوشش کربن پیرولیتیک (PyC) پایداری حرارتی را بهبود می‌بخشند، آلودگی را کاهش می‌دهند و عمر اجزا را در رشد کریستال SiC، اپیتاکسی، CVD و فرآیندهای نیمه‌رسانا در دمای بالا افزایش می‌دهند.

کشف کنید که چگونه پوشش CVD TaC باعث بهبود رشد کریستال SiC و تولید نیمه هادی با پایداری حرارتی فوق العاده بالا، مقاومت در برابر خوردگی، مهار ناخالصی و عملکرد برتر در کاربردهای MOCVD و اپیتاکسی می شود.

نگاهی به اجزای کلیدی Aixtron G10 برای سیستم‌های اپیتاکسی SiC با دمای بالا بیندازید. ما قطعات گرافیتی با پوشش CVD SiC، اجزای پوشش TaC و ساختارهای میدان حرارتی را پوشش می‌دهیم - و اینکه چگونه به پایداری فرآیند، کنترل خلوص، و بازده ویفر در تولید نیمه‌رساناهای پیشرفته کمک می‌کنند.

بیاموزید که جزء Halfmoon در یک محفظه واکنش LPE چیست و چگونه از پایداری حرارتی، مدیریت جریان گاز و ساختار راکتور در سیستم‌های اپیتاکسی SiC پشتیبانی می‌کند. مواد گرافیتی، پوشش CVD SiC، پوشش TaC، و فناوری‌های راکتور نیمه‌رسانای مدرن را کاوش کنید.

آیا با نرخ بازده MicroLED مبارزه می کنید؟ کشف کنید که چرا رهبران صنعت برای حل استرس حرارتی و آلودگی ذرات به سمت لایه‌های SiC و اجزای MOCVD با پوشش TaC روی آورده‌اند. با مزیت فنی CVD SiC برای نمایشگرهای نسل بعدی GaN آشنا شوید

نحوه استفاده از پوشش CVD SiC در فرآیندهای نیمه هادی، از جمله ساختار، ویژگی های عملکرد، و کاربردهای معمولی، همراه با ارتباط آن در کاربردهای دمای بالا را بررسی کنید.

آیا CVD Solid SiC ارزش سرمایه گذاری را دارد؟ ROI SiC یکپارچه را با پوشش‌های گرافیت سنتی مقایسه کنید. بیاموزید که چگونه مقاومت پلاسما برتر و MTBC توسعه یافته به نرخ ضایعات ویفر کمتر و زمان آماده‌سازی تجهیزات بالاتر برای خطوط HVM 12 اینچی تبدیل می‌شود.

مواد با خلوص بالا برای ساخت نیمه هادی ها ضروری هستند. این فرآیندها شامل گرمای شدید و مواد شیمیایی خورنده است. CVD-SiC (Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) پایداری و استحکام لازم را فراهم می کند. اکنون به دلیل خلوص و چگالی بالا، انتخاب اصلی برای قطعات تجهیزات پیشرفته است.