نمونه نقشه برداری

بر اساس نمونه فیزیکی ارائه شده توسط مشتری (حتی اگر یک قطعه مستعمل فرسوده یا شکسته باشد)، ما یک سرویس طیف کامل از مهندسی معکوس ساختار فیزیکی تا خصوصیات فیزیکوشیمیایی در سطح مواد را ارائه می دهیم. با استفاده از تجهیزات بازرسی با دقت بالا درجه نیمه هادی، ساختارهای هندسی سه بعدی پیچیده، ویژگی های رابط پوشش / بستر و پارامترهای فیزیکی مواد را به دقت تعیین می کنیم و اطمینان حاصل می کنیم که محصول مهندسی معکوس مطابقت دارد یا از استانداردهای OEM در تناسب فیزیکی، سازگاری با فرآیند و عمر سرویس (Form-Fit-Function Replacement) فراتر می رود.

آنچه ما اندازه گیری می کنیم (موارد فنی تحویلی):

تلورانس های ابعادی و هندسی:ما با استفاده از ماشین‌های اندازه‌گیری مختصات با دقت بالا (CMM) و اسکنرهای سه‌بعدی نوری، مدل‌سازی نقطه-ابر با اندازه کامل و بازسازی ساختارهای پیچیده حفره و نصب/محل سوراخ‌ها را انجام می‌دهیم و به دقت در سطح میکرون دست می‌یابیم.
میکرومورفولوژی و صافی سطح:استفاده از تداخل‌سنج‌های نور سفید و پروفیلومترهای نوری برای ارزیابی ناهمواری سطح در مقیاس نانومتری (Ra) و مسطح بودن سطح وسیع، برآورده کردن الزامات ویفر و آب‌بندی محفظه.
ویژگی های Edge Micro:نقشه برداری با بزرگنمایی بالا از لبه های R-Radii و ریزپروفیل های پخ برای بهینه سازی مورفولوژی صعودی پوشش و جلوگیری از تمرکز تنش در گوشه های تیز که می تواند باعث لایه برداری در دمای بالا شود.
زیرلایه گرافیت و تجزیه و تحلیل تطبیق حرارتی:ارزیابی چگالی زیرلایه گرافیت با خلوص بالا، اندازه دانه و ضریب انبساط حرارتی (CTE) برای اطمینان از تطابق تنش حرارتی بین بستر و پوشش CVD.
سطح مقطع و کیفیت اتصال پوشش:XRF غیر مخرب و تجزیه و تحلیل مقطع متالوگرافی SEM برای اندازه گیری ضخامت مطلق، یکنواختی شعاعی پوشش CVD و عمق نفوذ رابط.
ساختار فاز و تجزیه و تحلیل میکرو کریستال:ارزیابی XRD از خلوص فاز مکعبی (β-SiC) CVD SiC. ارزیابی کیفی استوکیومتری شیمیایی و ویژگی‌های ساختار کریستالی CVD TaC

مزایای مورد واقعی و مشتری (تجربه):

مشتری قطعات اچینگ نیمه هادی 12 اینچی:عرضه OEM متوقف شد. فقط یک قطعه فرسوده استفاده شده موجود بود. از طریق مدل‌سازی معکوس CMM + تجزیه و تحلیل مقطع پوشش SEM، ما توسعه قطعه جایگزین و آزمایش روی ابزار را در عرض 2 ماه بدون هیچ گونه نقشه اصلی تکمیل کردیم و به تناسب نصب 100٪ رسیدیم. در نهایت، چرخه تهیه قطعات از زمان واردات 6 ماهه اولیه به 2 ماه کاهش یافت، هزینه خرید واحد تا 42 درصد کاهش یافت و این مدل برای بیش از 30 دسته به طور پایدار عرضه شده است.

پوشش سیلیکون کاربید (SiC) روی سطح مقطع پوشش SEM

سوالات متداول

1. س: چگونه باید بین پوشش CVD SiC و پوشش CVD TaC انتخاب کنم؟

▼

الف:به دمای فرآیند و شدت خوردگی فاز گاز خود نگاه کنید. اگر دمای فرآیند زیر 1000 درجه سانتیگراد است و عمدتاً شامل اچ مبتنی بر Cl2/F2 یا اپیتاکسی معمولی است، انتخاب کنیدسی وی دی سی سیبرای بهترین عملکرد هزینه؛ اگر دمای فرآیند بیش از 1200 درجه سانتیگراد باشد و دارای اتمسفرهای به شدت خورنده باشد (به عنوان مثال رشد تک کریستالی SiC PVT)، توصیه می کنیمCVD TaCکه مقاومت بالایی در برابر دما و خوردگی دارد. ما می توانیم یک گزارش توصیه انتخاب رایگان بر اساس پارامترهای فرآیند خاص شما ارائه دهیم.

2. س: آیا از نمونه سازی تک تکه / دسته کوچک پشتیبانی می کنید؟ زمان تحویل چقدر است؟

▼

الف:بله! برای نمونه های اولیه مهندسی معکوس،MOQ 1 قطعه است. برای قطعات ساده معمولی، از دریافت نمونه تا تحویل قطعه نقشه‌برداری شده، سریع‌ترین زمان تحویل تقریباً است.10-15 روز کاری; برای قطعاتی که شامل فرآیندهای پوشش پیچیده هستند، تقریباً است20-25 روز کاری. برای ارزیابی سریع با مهندسان ما تماس بگیرید.

3. س: چه چیزی باعث لایه لایه شدن پوشش CVD روی قطعات گرافیتی در حین استفاده می شود؟ میشه حلش کرد؟

▼

الف:90٪ موارد لایه لایه شدن به دلیل عدم تطابق بین ضریب انبساط حرارتی (CTE) بستر گرافیت و پوشش ایجاد می شود که منجر به لایه برداری خستگی تحت گرما/سرد شدن سریع می شود. راه حل ما: ابتدا منحنی CTE قطعه اصلی خود را دقیقا اندازه گیری کنید، سپس چگالی بستر و گرادیان دمای رسوب را به طور ویژه تنظیم کنید تا دو CTE بسیار مطابقت داشته باشند. استحکام باند را می توان به بیش از1.5 بارسطح متعارف صنعت

4. س: آیا می توانید یک CoA (گواهی تجزیه و تحلیل) برای محصولات ارائه دهید؟ شامل چه داده هایی می شود؟

▼

الف:هر محصول ارسال شده دارای استاندارد استشماره سریال منحصر به فرد + گزارش کامل CoA. این گزارش شامل: داده‌های بازرسی CMM بعد بحرانی، نقشه توزیع ضخامت پوشش چند نقطه‌ای، مقادیر زبری سطح (Ra) و نتایج تجزیه و تحلیل خلوص مواد (GDMS) است.