شیب دما میدان حرارتی یک کوره کریستالی واحد چیست؟

چیستمیدان حرارتی?

میدان دما ازرشد کریستال تکاشاره به توزیع مکانی دما در یک کوره کریستالی منفرد ، همچنین به عنوان میدان حرارتی شناخته می شود. در حین محاسبه ، توزیع دما در سیستم حرارتی نسبتاً پایدار است که به آن یک میدان حرارتی استاتیک گفته می شود. در طول رشد یک کریستال منفرد ، میدان حرارتی تغییر می کند ، که یک میدان حرارتی پویا نامیده می شود.

هنگامی که یک کریستال واحد رشد می کند ، به دلیل تغییر مداوم فاز (فاز مایع به فاز جامد) ، گرمای نهان فاز جامد به طور مداوم آزاد می شود. در عین حال ، کریستال طولانی تر و طولانی تر می شود ، سطح ذوب دائماً در حال کاهش است و هدایت گرما و تابش در حال تغییر است. بنابراین ، میدان حرارتی در حال تغییر است که به عنوان یک میدان حرارتی پویا نامیده می شود.

رابط مایع جامد چیست؟

در یک لحظه خاص ، هر نقطه از کوره دمای مشخصی دارد. اگر نقاط موجود در فضا را با همان دما در میدان دما وصل کنیم ، یک سطح مکانی دریافت خواهیم کرد. در این سطح مکانی ، درجه حرارت در همه جا برابر است ، که ما آن را یک سطح ایزوترمال می نامیم. در میان سطوح ایزوترمال در کوره کریستالی تک ، یک سطح ایزوترمال بسیار ویژه وجود دارد که رابط بین فاز جامد و فاز مایع است ، بنابراین به آن رابط جامد مایع نیز گفته می شود. کریستال از رابط مایع جامد رشد می کند.

شیب دما چیست؟

گرادیان دما به میزان تغییر دمای یک نقطه A در میدان حرارتی به دمای یک نقطه در نزدیکی B. اشاره دارد. یعنی میزان تغییر دما در فاصله واحد.

کیسیلیکون کریستال تکرشد می کند ، دو شکل جامد و ذوب در میدان حرارتی وجود دارد ، و همچنین دو نوع شیب دما وجود دارد:

Grading گرادیان دمای طولی و شعاع شعاعی در کریستال.

▪ گرادیان دمای دمای طولی و شعاع شعاعی در ذوب.

▪ این دو توزیع دما کاملاً متفاوت هستند ، اما گرادیان دما در رابط مایع جامد که بیشتر می تواند بر وضعیت تبلور تأثیر بگذارد. گرادیان دمای شعاعی کریستال با هدایت گرمای طولی و عرضی کریستال ، تابش سطح و موقعیت جدید در میدان حرارتی تعیین می شود. به طور کلی ، دمای مرکز زیاد است و دمای لبه کریستال کم است. گرادیان دمای شعاعی ذوب عمدتاً توسط بخاری های اطراف آن تعیین می شود ، بنابراین دمای مرکز پایین است ، دمای نزدیک به سطح قابل حمل بالا است و گرادیان دمای شعاعی همیشه مثبت است.

توزیع دما معقول از میدان حرارتی باید شرایط زیر را برآورده کند:

▪ گرادیان دمای طولی در کریستال به اندازه کافی بزرگ است ، اما خیلی بزرگ نیست ، تا اطمینان حاصل شود که ظرفیت اتلاف گرما کافی در طول وجود داردرشد کریستالیبرای از بین بردن گرمای نهان تبلور.

▪ گرادیان دمای طولی در ذوب نسبتاً بزرگ است ، اطمینان حاصل می کند که هیچ هسته کریستالی جدیدی در ذوب ایجاد نمی شود. با این حال ، اگر خیلی بزرگ باشد ، به راحتی می توان باعث جابجایی و شکستگی شد.

▪ گرادیان دمای طولی در رابط تبلور به طور مناسب بزرگ است ، در نتیجه زیربنایی لازم را تشکیل می دهد ، به طوری که کریستال منفرد حرکت کافی رشد دارد. نباید خیلی بزرگ باشد ، در غیر این صورت نقص ساختاری رخ خواهد داد و گرادیان دمای شعاعی باید تا حد ممکن کوچک باشد تا رابط تبلور مسطح شود.

نیمه هادی Vetek یک تولید کننده حرفه ای چینی استگرافیت متخلخل متخلخل رشد کریستال, یک مونوکریستالی کشش قابل حمل, جیگر کریستال تک سیلیکون را بکشید, صلیب برای سیلیکون مونوکریستالی, لوله روکش شده با کاربید Tantalum برای رشد کریستالبشر  نیمه هادی Vetek متعهد به ارائه راه حل های پیشرفته برای محصولات مختلف ویفر SIC برای صنعت نیمه هادی است.

اگر به محصولات فوق علاقه دارید ، لطفاً مستقیماً با ما تماس بگیرید.  

اوباش: +86-180 6922 0752

WhatsApp: +86 180 6922 0752

ایمیل: anny@veteksemi.com