حلقه مهر و موم شده با پوشش SIC برای اپیتاکس

ⅰ حلقه مهر و موم با پوشش SIC چیست؟

حلقه مهر و موم پوشیده شده SIC (حلقه مهر و موم شده با روکش کاربید سیلیکون) یک مؤلفه آب بندی دقیق است که برای محیط های فرآیند نیمه هادی بسیار فاسد شده طراحی شده است. هسته آن از طریق رسوب بخار شیمیایی (CVD) یا فرآیند رسوب بخار فیزیکی (PVD) ، سطح بستر ماده کامپوزیت گرافیت یا کربن به طور مساوی پوشیده از لایه ای از پوشش کاربید سیلیکون با خلوص بالا (SIC) ، تشکیل هر دو مقاومت مکانیکی بستر و پوشش ویژگی های آب بندی با عملکرد بالا است.  

ⅱ ترکیب محصول و فناوری اصلی  

1. مواد بستر:

مواد کامپوزیت گرافیت یا کربن کربن: ماده پایه دارای مزیت مقاومت در برابر حرارت بالا (می تواند بیش از 2000 ℃ مقاومت کند) و ضریب کم انبساط حرارتی ، در نتیجه اطمینان از پایداری بعدی در شرایط شدید مانند دمای بالا اطمینان حاصل می کند.  

ساختار دقیق ماشینکاری: طراحی حلقه دقیق می تواند کاملاً با حفره تجهیزات نیمه هادی سازگار باشد ، بنابراین از صافی سطح آب بندی و هوای خوب اطمینان حاصل می شود.  

2. پوشش عملکردی:  

پوشش SIC با خلوص بالا (خلوص 99.99 ٪): ضخامت Coaing معمولاً 10-50μm است ، از طریق فرآیند CVD برای تشکیل لایه ای از ساختار سطح غیر متراکم سطح غیر متراکم ، به سطح حلقه آب بندی بی تحرک شیمیایی عالی و خصوصیات مکانیکی می دهد.

ⅲ خصوصیات و مزایای فیزیکی اصلی

حلقه های مهر و موم شده با پوشش SIC Veteksemicon به دلیل عملکرد عالی آنها در شرایط شدید ، برای فرآیندهای نیمه هادی اپیتاکس ایده آل است. در زیر خصوصیات فیزیکی خاص محصول وجود دارد:

IV برنامه های اصلی در پردازش Epitaxy نیمه هادی  

حلقه مهر و موم شده با پوشش SIC عمدتاً در MOCVD (رسوب بخار شیمیایی آلی فلزی) و MBE (Epitaxy پرتو مولکولی) و سایر تجهیزات فرآیند استفاده می شود ، عملکردهای خاص عبارتند از:  

1. تجهیزات نیمه هادی واکنش محفظه محافظت از هوا

حلقه های آب بندی شده با پوشش SIC ما اطمینان می دهد که تحمل ابعاد (معمولاً در 0.01 میلی متر پوند) از رابط با محفظه تجهیزات (به عنوان مثال فلنج ، شافت پایه) با شخصی سازی ساختار حلقه تا حد امکان کوچک است. 

در عین حال ، حلقه آب بندی با استفاده از ابزارهای CNC با استفاده از دستگاه های CNC دقیق ماشینکاری شده است تا از یکنواخت در کل سطح سطح تماس اطمینان حاصل شود و شکاف های میکروسکوپی را از بین می برد. این به طور موثری از نشت گازهای فرآیند (به عنوان مثال H₂ ، NH₃) جلوگیری می کند ، خلوص محیط رشد لایه اپیتاکسیال را تضمین می کند و عملکرد ویفر را بهبود می بخشد.  

از طرف دیگر ، سفتی گاز خوب همچنین می تواند نفوذ آلاینده های خارجی (O₂ ، H₂O) را مسدود کند ، بنابراین به طور مؤثر از نقص در لایه اپی توپ (مانند جابجایی ها ، دوپینگ ناهموار ناخالصی ها) جلوگیری می کند.  

2. پشتیبانی از آب بندی پویا با دمای بالا  

اتخاذ اصل ضد طلبی هم افزایی بستر بستر: با توجه به ضریب کم بستر گرافیت از انبساط حرارتی (CTE ≈ 4.5 × 10-⁶ ⁶/درجه سانتیگراد) بسیار کوچک است ، و در دمای زیاد شدید (1000 ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ＞ 1000 ℃) این ماده دماسنج فقط 1/5 از میزان آب بندی از مقدار مهر و موم فلزی است. همراه با سختی فوق العاده بالای پوشش SIC (HV2500 یا بیشتر) ، می تواند به طور موثری در برابر خراش های روی سطح آب بندی ناشی از لرزش مکانیکی یا ضربه ذرات مقاومت کند و صافی میکروسکوپی را حفظ کند.

توصیه های نگهداری V.

1. برای جلوگیری از خرابی ناگهانی ، سایش سطح آب بندی (بازرسی میکروسکوپ نوری سه ماهه توصیه می شود) را بررسی کنید.  

2. از پاک کننده های ویژه (مانند اتانول بی آب) برای حذف رسوبات استفاده کنید ، سنگ زنی مکانیکی را برای جلوگیری از آسیب به پوشش SIC ممنوع کنید.