فرآیند اپیتاکسی SiC

بخاری پوشش نیمه هادی TaC VeTek نقطه ذوب بسیار بالایی دارد (حدود 3880 درجه سانتیگراد). نقطه ذوب بالا آن را قادر می سازد تا در دماهای بسیار بالا، به ویژه در رشد لایه های همپایه نیترید گالیوم (GaN) در فرآیند رسوب بخار شیمیایی آلی فلزی (MOCVD) عمل کند. VeTek Semiconductor متعهد به ارائه راه حل های محصول سفارشی شده به مشتریان است. ما مشتاقانه منتظر شنیدن شما هستیم.

VeTek Semiconductor پیشرو در تولید محصولات پوشش CVD TAC چین است. برای سال‌ها، ما بر روی محصولات مختلف پوشش CVD TAC مانند پوشش پوشش CVD TaC، حلقه پوشش CVD TaC تمرکز کرده‌ایم. VeTek Semiconductor از خدمات سفارشی محصول و قیمت رضایت بخش محصول پشتیبانی می کند و مشتاقانه منتظر مشاوره بیشتر شما است.

با مقاومت در برابر دمای بالا ، عدم تحرک شیمیایی و عملکرد عالی ، چاک های پوشیده از TAC نیمه هادی Vetek برای کوره های نیمه هادی طراحی شده اند. ما معتقدیم که محصولات ما می توانند فناوری پیشرفته و راه حل های با کیفیت محصول را برای شما به ارمغان بیاورند.

لوله پوشش TaC نیمه هادی VeTek یک جزء کلیدی برای رشد موفقیت آمیز تک کریستال های کاربید سیلیکون است. با مقاومت در برابر دمای بالا، بی اثری شیمیایی و عملکرد عالی، تولید کریستال های با کیفیت بالا را با نتایج ثابت تضمین می کند. به راه‌حل‌های نوآورانه ما برای بهبود فرآیند رشد کریستال SiC روش PVT خود و دستیابی به نتایج عالی اعتماد کنید. به درخواست ما خوش آمدید.

پوشش TAC در حال حاضر عمدتاً در فرآیندهای مانند رشد کریستال سیلیسن کاربید (روش PVT) ، دیسک اپیتاکسیال (از جمله اپیتاکسی کاربید سیلیکون ، LED Epitaxy) و غیره استفاده می شود. ما مشتاقانه منتظر هستیم تا شریک زندگی بلند مدت ما شوید.

GAN در SIC EPI Susticor از طریق هدایت حرارتی عالی ، توانایی پردازش دمای بالا و ثبات شیمیایی ، نقش مهمی در پردازش نیمه هادی ایفا می کند و بهره وری بالا و کیفیت مواد فرآیند رشد اپیتاکسیال GAN را تضمین می کند. نیمه هادی Vetek یک تولید کننده حرفه ای چین در GAN در SIC EPI SoSector است ، ما صمیمانه منتظر مشاوره بیشتر شما هستیم.