فرآیند اپیتاکسی SiC

پوشش‌های کاربید منحصربفرد VeTek Semiconductor محافظت عالی برای قطعات گرافیتی در فرآیند اپیتاکسی SiC برای پردازش مواد نیمه‌رسانا و نیمه‌رساناهای مرکب مورد نیاز را فراهم می‌کند. نتیجه افزایش عمر اجزای گرافیت، حفظ استوکیومتری واکنش، مهار مهاجرت ناخالصی به کاربردهای اپیتاکسی و رشد کریستال است که منجر به افزایش بازده و کیفیت می‌شود.

پوشش های کاربید تانتالیوم (TaC) ما از اجزای مهم کوره و راکتور در دماهای بالا (تا 2200 درجه سانتیگراد) در برابر آمونیاک داغ، هیدروژن، بخارات سیلیکون و فلزات مذاب محافظت می کند. VeTek Semiconductor دارای طیف گسترده ای از پردازش و اندازه گیری گرافیت است تا نیازهای سفارشی شما را برآورده کند، بنابراین ما می توانیم یک پوشش یا خدمات کامل را با هزینه پرداخت کنیم، با تیم مهندسین متخصص خود آماده طراحی راه حل مناسب برای شما و برنامه خاص شما. .

کریستال های نیمه هادی مرکب

VeTek Semiconductor می تواند پوشش های TaC ویژه ای را برای اجزا و حامل های مختلف ارائه دهد. از طریق فرآیند پوشش‌دهی پیشرو در صنعت VeTek Semiconductor، پوشش TaC می‌تواند خلوص بالا، پایداری در دمای بالا و مقاومت شیمیایی بالا را به دست آورد، در نتیجه کیفیت محصول کریستال TaC/GaN) و لایه‌های EPl را بهبود می‌بخشد و طول عمر اجزای مهم راکتور را افزایش می‌دهد.

عایق های حرارتی

اجزای رشد کریستال SiC، GaN و AlN شامل بوته‌ها، نگهدارنده‌های دانه، منحرف کننده‌ها و فیلترها. مجموعه های صنعتی شامل عناصر گرمایش مقاومتی، نازل ها، حلقه های محافظ و وسایل لحیم کاری، اجزای راکتور CVD همپای GaN و SiC شامل حامل های ویفر، سینی های ماهواره، سر دوش، کلاهک ها و پایه ها، اجزای MOCVD.

 ● LED (دیود ساطع کننده نور) حامل ویفر

● گیرنده ALD (نیمه هادی).

● گیرنده EPI (فرایند اپیتاکسی SiC)