کاربرد خاص قطعات پوشش داده شده TAC در قسمت نیمه هادی چیست؟

خصوصیات فیزیکی پوشش کاربید Tantalum (TAC)

استفاده از پوشش کاربید Tantalum (TAC) در قسمت نیمه هادی

1. اجزای راکتور رشد اپیتاکسیال

پوشش TAC به طور گسترده در رسوب بخار شیمیایی (CVD) مؤلفه های راکتور نیترید گالیم (GAN) اپیتاکسیال و کاربید سیلیکون (SIC) اپیتاکسیال استفاده می شود ، از جملهحامل های ویفرغذاهای ماهواره ای ، نازل و سنسورها. این مؤلفه ها در محیط های با درجه حرارت بالا و خورنده به دوام و پایداری بسیار بالا نیاز دارند. پوشش TAC می تواند به طور موثری عمر خدمات خود را گسترش داده و عملکرد را بهبود بخشد.

2. مؤلفه رشد کریستال تک

در فرآیند رشد کریستالی تک موادی مانند SIC ، GAN و نیترید آلومینیوم (AIN) ،پوشش TACبرای مؤلفه های کلیدی مانند صلیب ، دارندگان کریستال بذر ، حلقه های راهنما و فیلترها اعمال می شود. مواد گرافیتی با پوشش TAC می توانند مهاجرت ناخالصی را کاهش دهند ، کیفیت کریستال را بهبود بخشند و چگالی نقص را کاهش دهند.

3. اجزای صنعتی درجه حرارت بالا

از پوشش TAC می توان در کاربردهای صنعتی با درجه حرارت بالا مانند عناصر گرمایش مقاومت ، نازل های تزریق ، حلقه های محافظ و وسایل برقی استفاده کرد. این مؤلفه ها باید عملکرد خوبی را در محیط های درجه حرارت بالا حفظ کنند و مقاومت در برابر گرما و مقاومت در برابر خوردگی تاک آن را به یک انتخاب ایده آل تبدیل می کند.

4. بخاری در سیستم های MOCVD

بخاری های گرافیتی با پوشش TAC با موفقیت در سیستم های رسوب بخار شیمیایی فلزی (MOCVD) معرفی شده اند. در مقایسه با بخاری های پوشیده از PBN ، بخاری های TAC می توانند راندمان و یکنواختی بهتری را فراهم کنند ، مصرف برق را کاهش دهند و میزان انتشار سطح را کاهش دهند و از این طریق یکپارچگی را بهبود بخشند.

5 حامل ویفر

حامل های ویفر با پوشش TAC نقش مهمی در تهیه مواد نیمه هادی نسل سوم مانند SIC ، AIN و GAN دارند. مطالعات نشان داده است که میزان خوردگیپوشش های TACدر آمونیاک با درجه حرارت بالا و محیط های هیدروژن بسیار پایین تر از آن استپوشش، که باعث می شود پایداری و دوام بهتری در استفاده طولانی مدت نشان دهد.