حلقه لبه sic

در زمینه تولید نیمه هادی ، حلقه های لبه SIC ، به عنوان اجزای اصلی تجهیزات پردازش ویفر ، با خصوصیات مواد خود در چشم انداز صنعتی انقلابی می کنند. مقدار این مؤلفه دقیق ساخته شده از کریستال های تک کاربید سیلیکون نه تنها در محتوای فناوری پیشرفته آن نهفته است ، بلکه در بهبود قابل توجهی در عملکرد و بهینه سازی هزینه های عملیاتی که می تواند برای تولید کنندگان تراشه ایجاد کند ، نهفته است.

خصوصیات ساختاری حلقه لبه sic

حلقه های لبه کاربید سیلیکون اجزای کلیدی مصرفی در تجهیزات اچینگ نیمه هادی هستند و از مواد کاربید سیلیکون با خلوص بالا تهیه شده اند که با استفاده از روش رسوب بخار شیمیایی (CVD) تهیه شده اند. قطر ساختار حلقوی آن معمولاً 200-450 میلی متر است و ضخامت آن در 5-15 میلی متر کنترل می شود که دارای ویژگی های زیر است:

تحمل 1. extreme: می تواند در برابر یک محیط درجه حرارت بالا 1500 مقاومت کند

2. پایداری پلاسما: ثابت دی الکتریک 9.7 ، ولتاژ شکست 3mv/cm

3. دقت هندسی: خطای گرد ≤0.05 میلی متر ، زبری سطح RA <0.2μm

دستیابی به موفقیت در فرآیند تولید

فرایند آماده سازی مدرن یک روش سه مرحله ای را اتخاذ می کند:

1. شکل گیری ماتریس: شکل گیری فشار ایزوستاتیک چگالی یکنواخت را تضمین می کند

2. پخت و پز درجه حرارت بالا: درمان تراکم در یک جو بی اثر در 2100

3. اصلاح سطح: لایه های محافظ نانو از طریق اچینگ یون واکنش پذیر (RIE) تشکیل می شوند. آخرین تحقیقات نشان می دهد که عمر خدمات حلقه های کاربید سیلیکون با 3 ٪ بور 40 ٪ افزایش می یابد و میزان آلودگی ویفر به سطح 0.01ppm کاهش می یابد

سناریوهای کاربردی

این عدم تعویض در فرآیندهای زیر 5 نانومتر را نشان می دهد:

2. یکنواختی اچینگ: می تواند انحراف نرخ اچ را 1.5 ± in در لبه ویفر حفظ کند

3. کنترل آلودگی: آلودگی فلز را 92 ٪ در مقایسه با مواد کوارتز سنتی کاهش می دهد

4. چرخه نگهداری: می تواند به مدت 1500 ساعت در پلاسما CF4/O2 به طور مداوم کار کند

Veteksemicon در تولید داخلی حلقه های SIC Edge به موفقیت رسیده است ، که می تواند هزینه های زیادی را در هزینه های خود صرفه جویی کند. در هر زمان با ما تماس بگیرید!