منوی وب

جستجوی محصول

زبان

محصولات

پوشش کاربید سیلیکون

نیمه هادی VeTek در تولید محصولات پوشش کاربید سیلیکون فوق خالص تخصص دارد، این پوشش ها برای اعمال بر روی گرافیت خالص، سرامیک و اجزای فلزی نسوز طراحی شده اند.


پوشش‌های با خلوص بالا عمدتاً برای استفاده در صنایع نیمه‌رسانا و الکترونیک هدف‌گذاری شده‌اند. آنها به عنوان یک لایه محافظ برای حامل‌های ویفر، گیرنده‌ها و عناصر گرمایشی عمل می‌کنند و از آنها در برابر محیط‌های خورنده و واکنش‌پذیری که در فرآیندهایی مانند MOCVD و EPI با آن مواجه می‌شوند، محافظت می‌کنند. این فرآیندها برای پردازش ویفر و ساخت دستگاه یکپارچه هستند. علاوه بر این، پوشش‌های ما برای کاربرد در کوره‌های خلاء و گرمایش نمونه، که در آن محیط‌های خلاء، واکنش‌پذیر و اکسیژن بالا وجود دارد، مناسب هستند.


در VeTek Semiconductor، ما یک راه حل جامع با قابلیت های پیشرفته ماشین آلات خود ارائه می دهیم. این ما را قادر می سازد تا اجزای پایه را با استفاده از گرافیت، سرامیک یا فلزات نسوز تولید کنیم و پوشش های سرامیکی SiC یا TaC را در داخل خود اعمال کنیم. ما همچنین خدمات پوشش را برای قطعات عرضه شده توسط مشتری ارائه می دهیم و انعطاف پذیری را برای رفع نیازهای مختلف تضمین می کنیم.


محصولات پوشش کاربید سیلیکون ما به طور گسترده ای در اپیتاکسی Si، اپیتاکسی SiC، سیستم MOCVD، فرآیند RTP/RTA، فرآیند اچینگ، فرآیند اچ کردن ICP/PSS، فرآیند انواع مختلف LED، از جمله LED آبی و سبز، LED UV و UV عمیق استفاده می شود. LED و غیره، که با تجهیزات LPE، Aixtron، Veeco، Nuflare، TEL، ASM، Annealsys سازگار است، TSI و غیره.


قطعات راکتوری که می توانیم انجام دهیم:


Aixtron G5 MOCVD Susceptors


پوشش سیلیکون کاربید چندین مزیت منحصر به فرد دارد:

Silicon Carbide Coating several unique advantages



پارامتر پوشش سیلیکون کاربید نیمه هادی VeTek

خواص فیزیکی اولیه پوشش CVD SiC
اموال ارزش معمولی
ساختار کریستالی فاز β FCC پلی کریستالی، عمدتاً (111) گرا
چگالی پوشش SiC 3.21 گرم بر سانتی متر مکعب
سختی پوشش SiC سختی 2500 ویکرز (بار 500 گرم)
اندازه دانه 2 تا 10 میکرومتر
خلوص شیمیایی 99.99995%
ظرفیت حرارتی 640 ژون کیلوگرم-1· K-1
دمای تصعید 2700 ℃
قدرت خمشی 415 مگاپاسکال RT 4 نقطه
مدول یانگ 430 Gpa خم 4pt، 1300℃
هدایت حرارتی 300W·m-1· K-1
انبساط حرارتی (CTE) 4.5×10-6K-1

ساختار کریستالی فیلم CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE



View as  
 
LPE اگر حامی EPI تنظیم شده است

LPE اگر حامی EPI تنظیم شده است

گیرنده تخت و گیره بشکه شکل اصلی گیرنده های epi هستند. VeTek Semiconductor یک تولید کننده و مبتکر ست گیره گیرنده LPE Si Epi در چین است. ما سال هاست در پوشش SiC و پوشش TaC تخصص داریم. ما یک گیره LPE Si Epi را ارائه می دهیم. مجموعه ای که به طور خاص برای ویفرهای LPE PE2061S 4 اینچی طراحی شده است. درجه مطابق با گرافیت مواد و پوشش SiC خوب است، یکنواختی عالی است، و عمر طولانی است، که می تواند عملکرد رشد لایه اپیتاکسیال را در طول فرآیند LPE (اپیتاکسی فاز مایع) بهبود بخشد. از شما استقبال می کنیم که از کارخانه ما در چین بازدید کنید.
بیشتر ببینید >> ارسال استعلام >>
Aixstron G5 MOCVD SESSIPTORS

Aixstron G5 MOCVD SESSIPTORS

سیستم Aixstron G5 Mocvd شامل مواد گرافیتی ، گرافیت روکش شده با کاربید سیلیکون ، کوارتز ، مواد نمدی سفت و غیره است. ما سالهاست که در قطعات نیمه هادی گرافیت و کوارتز تخصص داشتیم. این کیت Aixstron G5 MOCVD SESTISTERS یک راه حل همه کاره و کارآمد برای تولید نیمه هادی با اندازه بهینه ، سازگاری و بهره وری بالا است.
بیشتر ببینید >> ارسال استعلام >>
حساس بشکه گرافیتی با روکش SIC برای EPI

حساس بشکه گرافیتی با روکش SIC برای EPI

پایه گرمایش ویفر Epitaxial نوع بشکه محصولی با فناوری پردازش پیچیده است که برای تجهیزات و توانایی ماشینکاری بسیار چالش برانگیز است. نیمه هادی Vetek دارای تجهیزات پیشرفته و تجربه غنی در پردازش حساس بشکه گرافیتی با پوشش SIC برای EPI است ، می تواند همان زندگی اصلی کارخانه ، بشکه های اپیتاکسیال مقرون به صرفه تر را فراهم کند.
بیشتر ببینید >> ارسال استعلام >>
انحراف گرافیت با روکش SIC

انحراف گرافیت با روکش SIC

Deflector Crucible گرافیت با روکش SIC یک مؤلفه اصلی در تجهیزات کوره تک کریستالی است ، وظیفه آن هدایت مواد مذاب از سطح قابل حمل به منطقه رشد کریستال به آرامی است و از کیفیت و شکل رشد کریستال تک برخوردار است. هر دو ماده پوشش گرافیتی و SIC را ارائه دهید. برای اطلاعات بیشتر با ما تماس بگیرید.
بیشتر ببینید >> ارسال استعلام >>
MOCVD Epitaxial Susceptor برای ویفر 4 اینچی

MOCVD Epitaxial Susceptor برای ویفر 4 اینچی

MOCVD EPITAXIAL SUSIPITOR برای 4 "ویفر به منظور رشد 4" لایه epitaxial طراحی شده است. نیمه هادی Vetek یک تولید کننده و تأمین کننده حرفه ای است ، که به ارائه مستعد ابتلا به Epitaxial با کیفیت بالا برای 4 "Wafer اختصاص داده شده است. ما قادر به ارائه راه حل های متخصص و کارآمد به مشتریان خود هستیم. شما از برقراری ارتباط با ما استقبال می کنید.
بیشتر ببینید >> ارسال استعلام >>
پشتیبانی گرافیت Gan Epitaxial برای G5

پشتیبانی گرافیت Gan Epitaxial برای G5

VeTek Semiconductor یک تولید کننده و تامین کننده حرفه ای است که به ارائه گیره گرافیت اپیتاکسیال GaN با کیفیت بالا برای G5 اختصاص دارد. ما با شرکت های مشهور متعددی در داخل و خارج از کشور همکاری های بلندمدت و پایداری برقرار کرده ایم و اعتماد و احترام مشتریان خود را جلب کرده ایم.
بیشتر ببینید >> ارسال استعلام >>
ما به عنوان یک تولید کننده و تأمین کننده 77 پوند حرفه ای در چین ، کارخانه خودمان را داریم. این که آیا شما برای تأمین نیازهای خاص منطقه خود به خدمات سفارشی نیاز دارید یا می خواهید 77 پوند پیشرفته و با دوام ساخته شده در چین خریداری کنید ، می توانید برای ما پیام بگذارید.
توصیه های خبری
الماس - ستاره آینده نیمه هادی ها
الماس - ستاره آینده نیمه هادی هابیشتر ببینید >>
چرا پوشش کاربید تانتالیوم (TaC) نسبت به پوشش کاربید سیلیکون (SiC) در رشد تک کریستال SiC برتر است؟ - نیمه هادی VeTek
چرا پوشش کاربید تانتالیوم (TaC) نسبت به پوشش کاربید سیلیکون (SiC) در رشد تک کریستال SiC برتر است؟ - نیمه هادی VeTekبیشتر ببینید >>
کاربرد خاص قطعات پوشش داده شده TAC در قسمت نیمه هادی چیست؟
کاربرد خاص قطعات پوشش داده شده TAC در قسمت نیمه هادی چیست؟بیشتر ببینید >>
استفاده از کاربید سیلیکون جامد
استفاده از کاربید سیلیکون جامدبیشتر ببینید >>
روند Taiko چقدر نازک می تواند ویفرهای سیلیکون را ایجاد کند؟
روند Taiko چقدر نازک می تواند ویفرهای سیلیکون را ایجاد کند؟بیشتر ببینید >>
بر اساس فناوری کوره رشد تک کریستال کاربید 8 اینچی سیلیکون 8 اینچی
بر اساس فناوری کوره رشد تک کریستال کاربید 8 اینچی سیلیکون 8 اینچیبیشتر ببینید >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept