تکه ویفر یک ابزار بستن ویفر در فرآیند نیمه هادی است و به طور گسترده در PVD، CVD، ETCH و سایر فرآیندها استفاده می شود. ویفر چاک Vetek Semiconductor نقش محوری در تولید نیمه هادی ایفا می کند و خروجی سریع و با کیفیت را امکان پذیر می کند. Vetek Semiconductor با تولید داخلی، قیمتگذاری رقابتی و پشتیبانی قوی R&D، در خدمات OEM/ODM برای قطعات دقیق برتری دارد. منتظر درخواست شما هستیم.
به عنوان سازنده حرفه ای، نیمه هادی Vetek مایل است چاک ویفری با پوشش SiC را در اختیار شما قرار دهد.
Vetek Semiconductor دارای گواهینامه ISO9001 است که توسعه و ساخت طیف کاملی از قطعات برای دستگاه های نیمه هادی را پوشش می دهد. این قطعات شامل تجهیزات فرآیند، تجهیزات رسوبگذاری، تجهیزات بازرسی، ویفر چاکهای نیمهرسانا، فلومترها، محفظهها، سیستمهای کیورینگ تحت فشار مانند صفحات، بلوکها، شفتها، غلتکها و غیره است. سازندگان تجهیزات)، Vetek Semiconductor اجزای دقیق نیمه هادی را برای تولید کنندگان برتر تجهیزات نیمه هادی در ایالات متحده فراهم می کند. بزرگترین بازار نیمه هادی جهان
ویفر چاک نیمه هادی Vetek جزء مرحله ای از تجهیزات بازرسی نهایی ویفر در تجهیزات فرآیند تولید ویفر نیمه هادی است. از طریق سیستم کنترل کیفیت و سیستم بازرسی سیستماتیک، تولید سریع، با کیفیت بالا و رقابتی حاصل می شود. بهینه سازی هزینه از طریق یکپارچه سازی استراتژیک زیرساخت های تولید ما و مشارکت با تولید کنندگان متخصص داخلی و بین المللی برای مواد، قطعات، ماژول ها و تجهیزات به دست می آید.
چاک ویفر نیمه هادی Vetek در تجهیزات تشخیص ویفر با استفاده از روش های ماشینکاری با دقت بالا و فناوری طراحی استفاده می شود تا اطمینان حاصل شود که صافی ویفر خلاء زیر 3 میکرومتر است. این رویکرد دقیق عملکرد و دقت عالی در بازرسی ویفر را تضمین می کند.
مزیت هسته نیمه هادی Vetek:
1. تولید در کارخانه خود ما
2. تولید/توزیع مستقیم با قیمت های صادقانه.
5. مرکز تحقیق و توسعه داخلی ، پشتیبانی و توسعه کیفیت را فراهم می کند و به طور فعال در پروژه های پشتیبانی شرکت و ملی برای محلی سازی قطعات شرکت می کند.
4. OEM / ODM
خواص فیزیکی اولیه پوشش CVD SiC:
خصوصیات فیزیکی اساسی پوشش CVD SIC
دارایی
ارزش معمولی
ساختار کریستالی
فاز β FCC پلی کریستالی، عمدتاً (111) گرا
تراکم
3.21 گرم بر سانتی متر مکعب
سختی
2500 ویکرز سختی (500 گرم بار
اندازه دانه
2 تا 10 میکرومتر
خلوص شیمیایی
99.99995 ٪
ظرفیت حرارت
640 J · kg-1· k-1
دمای تصعید
2700 ℃
قدرت انعطاف پذیری
415 مگاپاسکال RT 4 نقطه
مدول
430 GPA 4PT Bend ، 1300
هدایت حرارتی
300W · متر-1· k-1
انبساط حرارتی (CTE)
4.5 × 10-6K-1
مغازه های تولیدی:
مروری بر زنجیره صنعت اپیتاکسی تراشه های نیمه هادی:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
ما از کوکی ها استفاده می کنیم تا تجربه مرور بهتری به شما ارائه دهیم، ترافیک سایت را تجزیه و تحلیل کنیم و محتوا را شخصی سازی کنیم. با استفاده از این سایت، شما با استفاده ما از کوکی ها موافقت می کنید. سیاست حفظ حریم خصوصی