پوشش کاربید تانتالیوم

با مقاومت در برابر دمای بالا ، عدم تحرک شیمیایی و عملکرد عالی ، چاک های پوشیده از TAC نیمه هادی Vetek برای کوره های نیمه هادی طراحی شده اند. ما معتقدیم که محصولات ما می توانند فناوری پیشرفته و راه حل های با کیفیت محصول را برای شما به ارمغان بیاورند.

لوله پوشش TaC نیمه هادی VeTek یک جزء کلیدی برای رشد موفقیت آمیز تک کریستال های کاربید سیلیکون است. با مقاومت در برابر دمای بالا، بی اثری شیمیایی و عملکرد عالی، تولید کریستال های با کیفیت بالا را با نتایج ثابت تضمین می کند. به راه‌حل‌های نوآورانه ما برای بهبود فرآیند رشد کریستال SiC روش PVT خود و دستیابی به نتایج عالی اعتماد کنید. به درخواست ما خوش آمدید.

پوشش TAC در حال حاضر عمدتاً در فرآیندهای مانند رشد کریستال سیلیسن کاربید (روش PVT) ، دیسک اپیتاکسیال (از جمله اپیتاکسی کاربید سیلیکون ، LED Epitaxy) و غیره استفاده می شود. ما مشتاقانه منتظر هستیم تا شریک زندگی بلند مدت ما شوید.

GAN در SIC EPI Susticor از طریق هدایت حرارتی عالی ، توانایی پردازش دمای بالا و ثبات شیمیایی ، نقش مهمی در پردازش نیمه هادی ایفا می کند و بهره وری بالا و کیفیت مواد فرآیند رشد اپیتاکسیال GAN را تضمین می کند. نیمه هادی Vetek یک تولید کننده حرفه ای چین در GAN در SIC EPI SoSector است ، ما صمیمانه منتظر مشاوره بیشتر شما هستیم.

حامل پوشش CVD TAC عمدتاً برای فرآیند اپیتاکسیال تولید نیمه هادی طراحی شده است. نقطه ذوب فوق العاده بلند CVD TAC Carner ، مقاومت در برابر خوردگی عالی و پایداری حرارتی برجسته ، ضروری بودن این محصول را در فرآیند نیمه هادی اپیتاکسیال تعیین می کند. از پرسش بیشتر خود استقبال می کنید.

گیرنده گرافیت با پوشش TaC نیمه هادی VeTek از روش رسوب بخار شیمیایی (CVD) برای تهیه پوشش کاربید تانتالم بر روی سطح قطعات گرافیتی استفاده می کند. این فرآیند بالغ ترین و دارای بهترین خواص پوششی است. گیرنده گرافیت با پوشش TaC می تواند عمر مفید اجزای گرافیت را افزایش دهد، از مهاجرت ناخالصی های گرافیت جلوگیری کند و کیفیت epitaxy را تضمین کند. ما مشتاقانه منتظر درخواست شما هستیم.