حلقه روکش شده با کاربید Tantalum

حلقه پوشش داده شده نیمه هادی Tantalum Tantalum از ساخته شده استگرافیتو با کاربید Tantalum ، ترکیبی که بهترین خواص هر دو ماده را برای اطمینان از عملکرد برتر و ماندگاری پوشش می دهد ، پوشانده می شود. 

پوشش TAC روی حلقه پوشش کاربید Tantalum تضمین می کند که در جوهای واکنشی کوره های رشد کریستالی SIC ، که اغلب شامل گازهایی مانند هیدروژن ، آرگون و نیتروژن است ، از نظر شیمیایی بی اثر باقی می ماند. این عدم تحرک شیمیایی برای جلوگیری از آلودگی کریستال رو به رشد ، که می تواند منجر به نقص و کاهش عملکرد محصولات نیمه هادی نهایی شود ، بسیار مهم است. علاوه بر این ، پایداری حرارتی ارائه شده توسط پوشش TAC اجازه می دهد تا حلقه پوشش کاربید Tantalum به طور مؤثر در دماهای بالا مورد نیاز برای رشد کریستال SIC ، به طور معمول بیش از 2000 درجه سانتیگراد کار کند.

پوشش TAC متراکم و یکنواخت را می توان با استفاده از اسپری پلاسما ، روش CVD و روش پخت دوغاب در سطح گرافیت تهیه کرد ، اما روش پاشش پلاسما دارای تجهیزات بالایی و تشکیل TA2C است. تهیه پوشش کامپوزیت با روش پخت دوغاب دشوار است و مقاومت در برابر شوک حرارتی پوشش ضعیف است. پوشش تهیه شده به روش CVD دارای ترکیب قابل کنترل و بالاترین تراکم است که در حال حاضر یک روش معمول پوشش کاربید تانتالوم است.

خصوصیات مکانیکی TAC باعث کاهش سایش و پارگی در حلقه پوشش کاربید Tantalum می شود. این امر به دلیل ماهیت تکراری فرآیند رشد کریستال ، که حلقه راهنما را در چرخه های حرارتی مکرر و تنش های مکانیکی قرار می دهد ، بسیار مهم است. سختی و مقاومت در برابر سایش TAC اطمینان حاصل می کند که حلقه روکش شده با TAC یکپارچگی ساختاری و ابعاد دقیق خود را در دوره های طولانی حفظ می کند و نیاز به تعویض های مکرر و کاهش خرابی در فرآیند تولید را به حداقل می رساند. 

چگالی فله ای از پوشش کاربید Tantalum 14.3 گرم در سانتی متر مکعب ، انتشار 0.3 ، سختی 2000HK ، نقطه ذوب 3950 است ، و خصوصیات بدنی خوب به عنوان یک ماده مشترک برای نسل سوم نیمه هادی ها انتخاب شده است.

علاوه بر این ، ترکیبی از گرافیت و TAC در حلقه پوشش کاربید Tantalum ، مدیریت حرارتی را در کوره رشد کریستال بهینه می کند. هدایت حرارتی بالا گرافیت به طور مؤثر گرما را توزیع می کند ، از نقاط مهم و ترویج رشد کریستال یکنواخت جلوگیری می کند. در همین حال ، پوشش TAC به عنوان یک سد حرارتی عمل می کند و از هسته گرافیت در معرض قرار گرفتن مستقیم در برابر دمای بالا و گازهای واکنشی محافظت می کند. این هم افزایی بین هسته و مواد پوشش دهنده منجر به یک حلقه راهنما می شود که نه تنها در برابر شرایط سخت مقاومت می کندرشد کریستال SICبلکه باعث افزایش کارایی و کیفیت کلی فرآیند می شود.

حلقه پوشش داده شده نیمه هادی Tantalum Tantalum یک مؤلفه اساسی در صنعت نیمه هادی است ، که به طور خاص برای رشد طراحی شده استکریستال های کاربید سیلیکونبشر طراحی آن از نقاط قوت گرافیت و کاربید Tantalum برای ارائه عملکرد استثنایی در محیط های درجه حرارت بالا و استرس بالا استفاده می کند. پوشش TAC از عدم تحرک شیمیایی ، دوام مکانیکی و پایداری حرارتی برخوردار است که همه اینها برای تولید کریستال های SIC با کیفیت بالا بسیار مهم هستند. این حلقه با حفظ یکپارچگی و عملکرد خود در شرایط شدید ، از رشد کارآمد و بدون نقص کریستال های SIC پشتیبانی می کند و به پیشرفت دستگاه های نیمه هادی با قدرت بالا و با فرکانس بالا کمک می کند.

نیمه هادی Vetek یک تولید کننده پیشرو و تأمین کننده استپوشش کاربید Tantalum, پوشش کاربید سیلیکونوتگرافیت خاصدر چین ما مدتهاست که متعهد به ارائه فناوری پیشرفته و راه حل های محصول برای صنعت نیمه هادی هستیم و صمیمانه امیدواریم که شریک بلند مدت شما در چین باشیم.

پوشش کاربید Tantalum (TAC)در مقطع میکروسکوپی：

نمای کلی اززنجیره صنعت Epitaxy تراشه نیمه هادی：