پوشش SIC SIC ALD SUSIPITOR

آن نیمه هادی استپوشش SIC SIC ALD SUSIPITORنقش مهمی در رسوب لایه اتمی ایفا می کند (الود) فرآیند. کنترل دقیق دمای آن ، توزیع گاز یکنواخت ، مقاومت شیمیایی بالا و هدایت حرارتی عالی ، یکنواختی و کیفیت بالای فرآیند رسوب فیلم را تضمین می کند. اگر می خواهید اطلاعات بیشتری کسب کنید ، می توانید بلافاصله با ما مشورت کنید و ما به موقع به شما پاسخ خواهیم داد!

کنترل دقیق دما:

پوشش SIC SIC ALD SUSPICOR معمولاً دارای سیستم کنترل دما با دقت بالا است. قادر است یک محیط دمای یکنواخت را در طی فرآیند رسوب حفظ کند ، که برای اطمینان از یکنواختی و کیفیت فیلم بسیار مهم است.

توزیع گاز یکنواخت:

طراحی بهینه شده پوشش SIC SIC ALD SESIPTOR توزیع یکنواخت گاز در طی فرآیند رسوب ALD را تضمین می کند. ساختار آن معمولاً شامل چندین قطعات چرخان یا متحرک برای تقویت پوشش یکنواخت گازهای واکنشی در کل سطح ویفر است.

مقاومت شیمیایی بالا:

از آنجا که فرآیند ALD شامل انواع گازهای شیمیایی است ، برای مقاومت در برابر فرسایش گازهای شیمیایی و تأثیر محیط های درجه حرارت بالا ، معمولاً از مواد مقاوم در برابر خوردگی (مانند پلاتین ، سرامیک یا کوارتز با خلوص بالا) استفاده می شود.

هدایت حرارتی عالی:

به منظور انجام موثر گرما و حفظ دمای رسوب پایدار ، مستعد کننده های ALD پوشش SIC معمولاً از مواد هدایت حرارتی بالا استفاده می کنند. این به جلوگیری از گرمای بیش از حد محلی و رسوب ناهموار کمک می کند.

خصوصیات فیزیکی اساسی پوشش CVD SIC:

مغازه های تولیدی:

نمای کلی زنجیره صنعت Epitaxy تراشه نیمه هادی：