محصولات

به عنوان یک فیبر کربن سخت کامپوزیت که تولید کننده محصول و تأمین کننده محصول در چین است ، فیبر کربن کامپوزیت نیمه هادی ویتک احساس می کند ، یک ماده با کیفیت بالا است که برای کاربردهای دمای بالا طراحی شده است و مقاومت بسیار خوبی از گرما و عملکرد عایق را فراهم می کند. این محصول به طور گسترده ای در پالت PECVD کامپوزیت کربن کربن برای اطمینان از ثبات و قابلیت اطمینان در شرایط شدید استفاده می شود. از مشاوره بیشتر خود خوش آمدید.

به عنوان یک مبتکر حرفه ای و رهبر محصولات حلقه ای پوشش داده شده با کاربید Tantalum در چین ، حلقه پوشش داده شده با کاربید نیمه هادی Tantalum با مقاومت در برابر دمای بالا ، مقاومت در برابر سایش و هدایت حرارتی عالی ، نقش غیر قابل تعویض در رشد کریستال SIC بازی می کند. از مشاوره بیشتر خود خوش آمدید.

به عنوان یک تولید کننده پیشرو و تأمین کننده محصولات چاک کاربید کاربید سیلیکون در چین ، چاک وفر کاربید نیمه هادی ویتک ویتک نقش غیر قابل تعویض در فرآیند رشد اپیتاکسیال با مقاومت عالی درجه حرارت بالا ، مقاومت به خوردگی شیمیایی و مقاومت در برابر شوک حرارتی دارد. از مشاوره بیشتر خود خوش آمدید.

سر دوش کاربید سیلیکون دارای تحمل درجه حرارت بالا ، ثبات شیمیایی ، هدایت حرارتی و عملکرد خوب توزیع گاز است که می تواند به توزیع گاز یکنواخت دست یابد و کیفیت فیلم را بهبود بخشد. بنابراین ، معمولاً در فرآیندهای درجه حرارت بالا مانند رسوب بخار شیمیایی (CVD) یا فرآیندهای رسوب بخار فیزیکی (PVD) استفاده می شود. از مشاوره بیشتر خود با ما ، نیمه هادی Vetek استقبال کنید.

نیمه هادی Vetek یک تولید کننده حرفه ای و رهبر محصولات کاربید متخلخل تانتالوم در چین است. کاربید متخلخل Tantalum معمولاً با استفاده از روش رسوب بخار شیمیایی (CVD) تولید می شود و از کنترل دقیق اندازه و توزیع منافذ آن اطمینان می دهد و ابزاری مادی است که به محیط های شدید درجه حرارت بالا اختصاص داده شده است. از مشاوره بیشتر خود خوش آمدید.

حلقه راهنمای پوشش TAC نیمه هادی Vetek با استفاده از پوشش کاربید Tantalum بر روی قطعات گرافیت با استفاده از یک تکنیک بسیار پیشرفته به نام رسوب بخار شیمیایی (CVD) ایجاد می شود. این روش به خوبی تثبیت شده است و خصوصیات پوشش استثنایی را ارائه می دهد. با استفاده از حلقه راهنمای پوشش TAC ، طول عمر اجزای گرافیتی می تواند به طور قابل توجهی گسترش یابد ، می توان حرکت ناخالصی های گرافیتی را سرکوب کرد و کیفیت کریستالی تک SIC و AIN را می توان با اطمینان حفظ کرد. به ما خوش آمدید.