فرآیند اچ کردن ICP/PSS

حامل ویفر فرآیند اچینگ VeTek Semiconductor ICPPSS (Inductively Coupled Plasma Photoresist Stripping) به طور خاص برای پاسخگویی به الزامات مورد نیاز فرآیندهای اچینگ در صنعت نیمه هادی طراحی شده است. با ویژگی های پیشرفته خود، عملکرد، کارایی و قابلیت اطمینان بهینه را در طول فرآیند اچینگ تضمین می کند.

مزیت های نیمه هادی ICP/PSS Process Etching Susveptors VeTek:

سازگاری شیمیایی پیشرفته: حامل ویفر با استفاده از موادی ساخته می شود که سازگاری شیمیایی عالی با شیمی فرآیند اچ را نشان می دهند. این امر سازگاری با طیف وسیعی از اچ‌کننده‌ها، رقیق‌کننده‌های مقاوم و محلول‌های تمیزکننده را تضمین می‌کند و خطر واکنش‌های شیمیایی یا آلودگی را به حداقل می‌رساند.

مقاومت در برابر دمای بالا: حامل ویفر به گونه ای طراحی شده است که در برابر دماهای بالایی که در طول فرآیند اچ با آن مواجه می شوند مقاومت کند. یکپارچگی ساختاری و استحکام مکانیکی خود را حفظ می کند و از تغییر شکل یا آسیب حتی در شرایط حرارتی شدید جلوگیری می کند.

یکنواختی اچ برتر: حامل دارای طراحی دقیق مهندسی شده ای است که توزیع یکنواخت اچ ها و گازها را در سطح ویفر افزایش می دهد. این منجر به نرخ های اچ ثابت و الگوهای با کیفیت بالا و یکنواخت می شود که برای دستیابی به نتایج دقیق و قابل اطمینان اچ ضروری است.

پایداری عالی ویفر: این حامل دارای مکانیزم نگهداری ویفر ایمن است که موقعیت پایدار را تضمین می کند و از حرکت یا لغزش ویفر در طول فرآیند اچ جلوگیری می کند. این الگوهای اچ دقیق و قابل تکرار را تضمین می کند، نقص ها و تلفات را به حداقل می رساند.

سازگاری اتاق تمیز: حامل ویفر برای رعایت استانداردهای اتاق تمیز طراحی شده است. این ویژگی تولید ذرات کم و تمیزی عالی را دارد و از هرگونه آلودگی ذرات که می تواند کیفیت و عملکرد فرآیند حکاکی را به خطر بیندازد جلوگیری می کند. ناخالصی کمتر از 5ppm است.

ساخت و ساز قوی و بادوام: این حامل با استفاده از مواد با کیفیت بالا که به دلیل دوام و طول عمر طولانی شناخته شده اند، مهندسی شده است. این می تواند در برابر استفاده مکرر و فرآیندهای تمیز کردن دقیق مقاومت کند بدون اینکه عملکرد یا یکپارچگی ساختاری آن به خطر بیفتد.

طراحی قابل تنظیم: ما گزینه های قابل تنظیم را برای برآوردن نیازهای مشتری خاص ارائه می دهیم. حامل را می توان به گونه ای طراحی کرد که اندازه ها، ضخامت ها و مشخصات فرآیند مختلف ویفر را در خود جای دهد و از سازگاری با تجهیزات و فرآیندهای مختلف اچینگ اطمینان حاصل کند.

قابلیت اطمینان و عملکرد حامل ویفر فرآیند اچینگ ICP/PSS را که برای بهینه سازی فرآیند اچ در صنعت نیمه هادی طراحی شده است، تجربه کنید. سازگاری شیمیایی افزایش یافته، مقاومت در برابر درجه حرارت بالا، یکنواختی برتر اچ، پایداری عالی ویفر، سازگاری اتاق تمیز، ساختار قوی و طراحی قابل تنظیم آن را به انتخابی ایده آل برای کاربردهای اچینگ شما تبدیل کرده است.

صفحه اچینگ PSS صفحه اچینگ ICP ICP Etching Susceptor