دیسک سرامیکی نیترید آلومینیوم

صفحه سرامیکی نیترید آلومینیوم نیمه هادی Vetek یک محصول سرامیکی عایق ایده آل با هدایت حرارتی بالا ، ضریب انبساط پایین ، استحکام بالا ، مقاومت در برابر دمای بالا ، مقاومت در برابر خوردگی شیمیایی ، مقاومت بالا و از بین رفتن دی الکتریک کم است. سرامیک های نیترید آلومینیوم می توانند جایگزین سرامیک های اکسید بریلیم سمی شوند و به طور گسترده در صنعت الکترونیک مورد استفاده قرار می گیرند.

مزیت عملکرد:

در مقایسه با سرامیک آلومینا ، نیترید آلومینیوم دارای هدایت حرارتی بالایی است ، در 100 درجه سانتیگراد ، هدایت حرارتی بالاتر از 170W/ m.k است و هدایت حرارتی اکسید آلومینیوم حدود 15-35 W/ (M · K) است و نیترید آلومینیوم بیش از 5 برابر از اکسید آلومینیوم است.

سختی مواد سرامیکی نیترید آلومینیوم به طور کلی 9 MOHS سختی است ، به این معنی که سختی سرامیک های نیترید آلومینیوم بسیار زیاد است ، فقط به الماس دوم ، در فرآیند بسته بندی نیمه هادی ، معمولاً فنجان های سرامیکی آلومینیوم برای بستر ، صفحه هدایت حرارتی و سایر ناپایداری های کلیدی ، به ترتیب عملکرد خوب و قدرتمندی از قدرت ، استفاده می شود.

ضریب انبساط خطی این نوع سرامیک معمولاً در محدوده 4 تا 5 × 10^ است^-6/℃ ، که باعث می شود بیشتر با ضریب گسترش مواد فلزی مطابقت داشته باشد و به کاهش تولید استرس و TH کمک کنداسترس ارمال ناشی از تغییرات دما.

در عین حال ، مقاومت خمش سرامیک نیترید آلومینیوم معمولاً بین 300 تا 700 مگاپاسکال است که بالاتر از بسیاری از مواد سرامیکی دیگر مانند زیرکونیا و آلومینا است.

از نظر دما ، سرامیک های نیترید آلومینیوم می توانند به طور پایدار در یک محیط با درجه حرارت بالا کار کنند و دمای استفاده از آن می تواند به بیش از 1500 ℃ برسد ، که برای فرآیندهای درجه حرارت بالا و برنامه های کاربردی مناسب است.

دیسک سرامیکی نیترید آلومینیوم علاوه بر مقاومت خود در برابر گازهای بی اثر ، ثبات شیمیایی عالی و مقاومت بالایی را در برابر رسانه های خورنده مانند اسیدها و قلیایی ها نشان می دهد و آنها را به طور گسترده ای در صنعت شیمیایی مورد استفاده قرار می دهد.

دیسک سرامیکی نیترید آلومینیوم از مقاومت بالایی برخوردار است ، معمولاً بین 10^¹⁴و 10^¹⁵Ω · سانتی متر ، که برای مواردی مناسب است که به خواص عایق الکتریکی مورد نیاز است. سرامیک های نیترید آلومینیوم از بین رفتن دی الکتریک بسیار کمی برخوردار هستند ، به این معنی که از بین رفتن انرژی می توان در کاربردهای دی الکتریک کاهش یافت.

منطقه برنامه:

بسته بندی نیمه هادی: برای ماژول های برق (مانند IGBTS) ، حامل های تراشه با قدرت بالا ، رله های حالت جامد و غیره ، برای ارائه مدیریت حرارتی کارآمد 3410.

بستر الکترونیکی: به عنوان یک برد مدار فیلم نازک/فیلم ضخیم ، از ماشینکاری با دقت بالا پشتیبانی می کند (به عنوان مثال پولیش به زبری سطح 0.3μm) 410.

دستگاه های RF/مایکروویو: از بین رفتن دی الکتریک کم (Tanδ ≤ 3 × 10 ⁻⁴ ، 1MHz) ویژگی های مناسب برای برد مدار با فرکانس بالا 1018.

سایر سناریوهای صنعتی: مانند قطعات تجهیزات پوشش خلاء ، HIG

خدمات پردازش و سفارشی سازی

ماشینکاری دقیق: پشتیبانی از برش ، حفاری ، سنگ زنی ، جلا دادن (زبری سطح RA تا 0.3μm) و ساختار ویژه شکل 410 سفارشی.

تصفیه سطح: بستر سینتر شده را می توان دوباره پردازش کرد تا صافی سطح را بهبود بخشد (به عنوان مثال ، از 30 میکروین RA تا 1 میکروینچ RA) 4.

آن نیمه هادی استمغازه های دیسک سرامیکی نیترید آلومینیوم: