حلقه روکش ویفر گرافیتی با پوشش TaC

مزایای فنی اصلی

• مقاومت شیمیایی استثنایی: طراحی شده برای مقاومت در برابر گازهای حکاکی خشن (H2، NH3، HCl) در دمای بین 1200 درجه سانتیگراد تا 2000 درجه سانتیگراد.

• تطبیق انبساط حرارتی: فرآیند CVD اختصاصی ما تضمین می کند که پوشش TaC دارای CTE (ضریب انبساط حرارتی) بهینه شده با بستر گرافیت است و از پوسته شدن یا ترک خوردن در طول چرخه حرارتی سریع جلوگیری می کند.

• کنترل ذرات برتر: با آب بندی کامل گرافیت متخلخل، لایه TaC ریزش ذرات را از بین می برد و به طور مستقیم بازده ویفر شما را افزایش می دهد و زمان توقف راکتور را کاهش می دهد.

• عمر سرویس طولانی تر: سطح بسیار مقاوم در برابر سایش که در برابر چرخه های تمیز کردن مکرر مقاومت می کند و هزینه مالکیت (CoO) را در مقایسه با جایگزین های بدون پوشش یا پوشش داده شده با SiC ارائه می دهد.

پوشش کاربید تانتالیوم (TaC) روی سطح مقطع میکروسکوپی

پارامتر محصول حلقه پوشش ویفر گرافیتی با پوشش TaC

چرا حلقه های پوشش TaC خود را انتخاب کنید؟

ما درک می کنیم که در ساخت نیمه هادی، قابلیت اطمینان برابر با سودآوری است. حلقه های پوششی ویفر گرافیتی با پوشش TaC ما برای چگالی و خلوص پوشش آزمایش شده اند. چه در حال انتقال از تولید ویفر 6 اینچی به 8 اینچی باشید یا یک فرآیند MOCVD با دمای بالا را بهینه کنید، حلقه‌های ما محافظ حرارتی و شیمیایی لازم برای اپیتاکسی در سطح جهانی را فراهم می‌کنند.