پوشش SIC قطعات گرافیتی Halfmoon

در محفظه واکنش کوره رشد اپیتاکسیال SIC ، قطعات گرافیتی نیمی از پوشش SIC اجزای اصلی برای بهینه سازی توزیع جریان گاز ، کنترل میدان حرارتی و یکنواختی جو واکنش هستند. آنها معمولاً از پوشش SIC ساخته می شوندگرافیتطراحی شده به شکل نیمه ماه، در قسمت های گرافیتی فوقانی و پایینی محفظه واکنش قرار دارد و ناحیه زیرلایه را احاطه کرده است.

    •بخش گرافیت نیمه ماه بالایی: نصب شده در قسمت فوقانی محفظه واکنش ، در نزدیکی ورودی گاز ، مسئول هدایت گاز واکنش برای جریان به سمت سطح بستر است.

    •بخش گرافیتی نیمه ماه پایین: در پایین محفظه واکنش، معمولا در زیر نگهدارنده بستر، برای کنترل جهت جریان گاز و بهینه سازی میدان حرارتی و توزیع گاز در پایین بستر استفاده می شود.

در طولفرآیند اپیتاکسی SiCقسمت گرافیت نیمه ماه فوقانی به هدایت جریان گاز به طور مساوی بر روی بستر کمک می کند و از تأثیر مستقیم گاز بر سطح بستر جلوگیری می کند و باعث گرمازدگی موضعی یا تلاطم جریان هوا می شود. قسمت گرافیت نیمه ماه پایین اجازه می دهد تا گاز به راحتی از طریق بستر جریان یابد و سپس تخلیه شود ، در حالی که مانع از تأثیر تلاطم بر یکنواختی رشد لایه اپیتاکسیال می شود.

از نظر تنظیم میدان حرارتی ， پوشش SIC قطعات گرافیتی نیمه مون به توزیع یکنواخت گرما در محفظه واکنش از طریق شکل و موقعیت کمک می کند. قسمت گرافیت نیمه بالا می تواند به طور موثری گرمای تابشی بخاری را منعکس کند تا اطمینان حاصل شود که دمای بالای بستر پایدار است. قسمت گرافیت نیمه ماه پایین نیز نقش مشابهی دارد و به توزیع یکنواخت گرما در زیر بستر از طریق هدایت گرما کمک می کند تا از اختلاف بیش از حد دما جلوگیری شود.

پوشش SiC باعث می شود که قطعات در برابر دماهای بالا مقاوم باشند و رسانای حرارت باشند، بنابراین قطعات نیمه هادی VeTek Semiconductor عمر طولانی دارند. قطعات گرافیتی نیمه ماه ما برای اپیتاکسی SiC که با دقت طراحی شده اند، می توانند به طور یکپارچه در بسیاری از راکتورهای همپایی ادغام شوند و به بهبود کارایی و قابلیت اطمینان کلی فرآیند تولید نیمه هادی کمک کنند. هر آنچه که قطعات گرافیت Halfmoon به پوشش SiC شما نیاز دارد، لطفاً با VeTek Semiconductor تماس بگیرید.

دریاچهفروشگاه های قطعات گرافیتی Halfmoon پوشش SIC: