بخاری MOCVD گرافیت پوشش SiC

MOCVD یک فناوری رشد لایه نازک دقیق است که به طور گسترده در تولید دستگاه های نیمه هادی، نوری و میکروالکترونیک استفاده می شود. از طریق فناوری MOCVD، فیلم های مواد نیمه هادی با کیفیت بالا را می توان بر روی بسترها (مانند سیلیکون، یاقوت کبود، کاربید سیلیکون و غیره) رسوب داد.

در تجهیزات MOCVD ، بخاری MOCVD گرافیت SIC یک محیط گرمایش یکنواخت و پایدار را در محفظه واکنش درجه حرارت بالا فراهم می کند و اجازه می دهد تا واکنش شیمیایی فاز گاز ادامه یابد و از این طریق فیلم نازک مورد نظر را بر روی سطح بستر قرار می دهد.

بخاری MOCVD گرافیتی SiC Coating VeTek Semiconductor از مواد گرافیت با کیفیت بالا با پوشش SiC ساخته شده است. بخاری MOCVD گرافیت با پوشش SiC گرما را از طریق اصل گرمایش مقاومتی تولید می کند.

هسته گرمکن گرافیتی SiC Coating MOCVD بستر گرافیت است. جریان از طریق منبع تغذیه خارجی اعمال می شود و از ویژگی های مقاومت گرافیت برای تولید گرما برای رسیدن به دمای بالا مورد نیاز استفاده می شود. رسانایی حرارتی بستر گرافیت عالی است، که می تواند به سرعت گرما را هدایت کند و به طور مساوی دما را به کل سطح بخاری منتقل کند. در عین حال، پوشش SiC بر رسانایی گرمایی گرافیت تأثیر نمی گذارد و به بخاری اجازه می دهد تا به سرعت به تغییرات دما پاسخ دهد و توزیع یکنواخت دما را تضمین کند.

گرافیت خالص در شرایط دمای بالا مستعد اکسید شدن است. پوشش SiC به طور موثر گرافیت را از تماس مستقیم با اکسیژن جدا می کند، در نتیجه از واکنش های اکسیداسیون جلوگیری می کند و عمر گرمکن را افزایش می دهد. علاوه بر این، تجهیزات MOCVD از گازهای خورنده (مانند آمونیاک، هیدروژن و غیره) برای رسوب بخار شیمیایی استفاده می کنند. پایداری شیمیایی پوشش SiC آن را قادر می سازد تا به طور موثر در برابر فرسایش این گازهای خورنده مقاومت کند و از بستر گرافیت محافظت کند.

در دمای بالا، مواد گرافیت بدون پوشش ممکن است ذرات کربن را آزاد کنند که بر کیفیت رسوب فیلم تأثیر می گذارد. استفاده از پوشش SiC از انتشار ذرات کربن جلوگیری می کند و به فرآیند MOCVD اجازه می دهد تا در یک محیط تمیز انجام شود و نیازهای تولید نیمه هادی با نیازهای تمیزی بالا را برآورده کند.

در نهایت، بخاری گرافیتی SiC Coating MOCVD معمولاً به شکل دایره ای یا سایر شکل های منظم طراحی می شود تا از دمای یکنواخت روی سطح بستر اطمینان حاصل شود. یکنواختی دما برای رشد یکنواخت لایه های ضخیم، به ویژه در فرآیند رشد همپایه MOCVD ترکیبات III-V مانند GaN و InP حیاتی است.

نیمه هادی Vetek خدمات شخصی سازی حرفه ای را ارائه می دهد. ماشینکاری پیشرو در صنعت و قابلیت پوشش SIC ما را قادر می سازد بخاری های سطح بالا را برای تجهیزات MOCVD تولید کنیم ، مناسب برای بیشتر تجهیزات MOCVD.

خواص فیزیکی اولیه پوشش CVD SiC

Vetek نیمه هادی SIC پوشش گرافیت MOCVD فروشگاه های بخاری MOCVD