صفحه سرامیکی متخلخل

صفحه سرامیکی متخلخل یک ماده سرامیکی ساختار متخلخل است که از آن ساخته شده استکاربید سیلیکونبه عنوان مؤلفه اصلی و همراه با یک فرآیند پخت ویژه. تخلخل آن قابل تنظیم است (معمولاً 30 ٪ -70 ٪) ، توزیع اندازه منافذ یکنواخت است ، از مقاومت در برابر دمای بالا ، ثبات شیمیایی و نفوذپذیری عالی گاز برخوردار است و به طور گسترده در تولید نیمه هادی ، رسوب بخار شیمیایی (CVD) ، تصفیه گاز با درجه حرارت بالا و سایر زمینه ها مورد استفاده قرار می گیرد.

و برای کسب اطلاعات بیشتر در مورد صفحه سرامیکی SIC متخلخل ، لطفاً این وبلاگ را بررسی کنید.

دیسک سرامیکی متخلخلخصوصیات بدنی عالی

regient مقاومت شدید درجه حرارت بالا:

نقطه ذوب سرامیک SIC به اندازه 2700 درجه سانتیگراد است و هنوز هم می تواند پایداری ساختاری را بالاتر از 1600 درجه سانتیگراد حفظ کند ، بسیار بیش از سرامیک های سنتی آلومینا (حدود 2000 درجه سانتیگراد) ، به ویژه برای فرآیندهای دمای بالا نیمه هادی مناسب است.

performance عملکرد عالی مدیریت حرارتی:

ard هدایت حرارتی بالا: هدایت حرارتی SIC متراکم در حدود 120 W/(M · K) است. اگرچه ساختار متخلخل کمی هدایت حرارتی را کاهش می دهد ، اما هنوز هم به طور قابل توجهی بهتر از اکثر سرامیک ها است و از اتلاف گرمای کارآمد پشتیبانی می کند.

co ضریب انبساط حرارتی کم (10 × 4.0 × 10 درجه سانتیگراد): تقریباً هیچ تغییر شکل در دمای بالا وجود ندارد و از خرابی دستگاه ناشی از استرس حرارتی جلوگیری می کند.

patail ثبات شیمیایی عالی

مقاومت در برابر خوردگی اسید و قلیایی (به ویژه در محیط HF) ، مقاومت به اکسیداسیون درجه حرارت بالا ، مناسب برای محیط های سخت مانند اچ و تمیز کردن.

properties خصوصیات مکانیکی برجسته

✔ سختی زیاد (سختی MOHS 9.2 ، دوم فقط در برابر الماس) ، مقاومت در برابر سایش قوی.

strow قدرت خمش می تواند به 300-400 مگاپاسکال برسد ، و طراحی ساختار منافذ هم سبک وزن و هم مکانیکی را در نظر می گیرد.

ساختار متخلخل کاربردی

مساحت سطح خاص بالا: افزایش راندمان انتشار گاز ، مناسب به عنوان صفحه توزیع گاز واکنش.

✔ تخلخل قابل کنترل: نفوذ مایعات و عملکرد فیلتراسیون ، مانند شکل گیری یکنواخت فیلم در فرآیند CVD.

نقش خاص در تولید نیمه هادی

approcation پشتیبانی فرآیند دمای بالا و عایق حرارتی

به عنوان یک صفحه پشتیبانی ویفر ، در تجهیزات درجه حرارت بالا (> 1200 درجه سانتیگراد) مانند کوره های انتشار و کوره های آنیل برای جلوگیری از آلودگی فلز استفاده می شود.

ساختار متخلخل هم عملکرد عایق و هم پشتیبانی دارد و باعث کاهش گرما می شود.

توزیع گاز و کنترل واکنش یکنواخت

در تجهیزات رسوب بخار شیمیایی (CVD) ، به عنوان یک صفحه توزیع گاز ، از منافذ برای انتقال یکنواخت گازهای واکنشی (مانند SIH₄ ، NH₃) برای بهبود یکنواختی رسوب فیلم نازک استفاده می شود.

در اچ کردن خشک ، ساختار متخلخل توزیع پلاسما را بهینه می کند و دقت اچ را بهبود می بخشد.

compents اجزای اصلی چاک الکترواستاتیک (ESC)

SIC متخلخل به عنوان بستر چاک الکترواستاتیک مورد استفاده قرار می گیرد ، که از طریق میکروپورها به جذب خلاء می رسد ، ویفر را به طور دقیق برطرف می کند و در برابر بمباران پلاسما مقاوم است و دارای عمر طولانی است.

compents اجزای مقاوم در برابر خوردگی

مورد استفاده برای پوشش حفره تجهیزات اچ و تمیز کردن مرطوب ، در برابر خوردگی توسط اسیدهای قوی (مانند H₂SO₄ ، HNO₃) و قلیایی قوی (مانند KOH) مقاومت می کند.

control کنترل یکنواختی میدان حرارتی

در کوره های رشد سیلیکون تک کریستال (مانند روش Czochralski) ، به عنوان یک سپر حرارتی یا پشتیبانی ، از پایداری حرارتی بالا برای حفظ زمینه های حرارتی یکنواخت و کاهش نقص شبکه استفاده می شود.

● تصفیه و تصفیه

ساختار متخلخل می تواند آلاینده های ذرات را رهگیری کند و در سیستم های تحویل فوق العاده گازی/مایع برای اطمینان از پاکیزگی فرآیند استفاده می شود.

مزایای آن نسبت به مواد سنتی