حلقه راهنمای گرافیت متخلخل

مزایای محصول اصلی

1. خلوص فوق العاده بالا و ضمانت نقص کم

برای حذف عمیق ناخالصی‌های غیرفلزی مانند اکسیژن و نیتروژن و افزایش خلوص محصول به ≥99.9995٪، از یک فرآیند تصفیه با دمای بالا با خلاء 3000 ℃ استفاده می‌کند. عیوب کریستالی ناشی از ناخالصی (به عنوان مثال، میکروتوبول ها، نابجایی ها) را از منبع حذف می کند، ثبات و پایداری خواص الکتریکی تک بلورهای SiC را تضمین می کند و پایه ای محکم برای رشد کریستال با کیفیت بالا ایجاد می کند.

2. ثبات دمای فوق العاده بالا و تنظیم دقیق میدان حرارتی

می تواند دماهای بسیار بالای 2200 درجه سانتیگراد را در یک محیط آرگون یا خلاء تحمل کند و به طور مداوم و پایدار برای بیش از 1000 ساعت بدون نرم شدن یا تغییر شکل کار کند. این محصول دارای ضریب انبساط حرارتی پایینی است که می تواند به طور موثر از ترک خوردگی مواد ناشی از تنش حرارتی جلوگیری کند. از طراحی توزیع گرادیان تخلخل (15-30٪) پشتیبانی می کند و اندازه منافذ (10-200μm) را همراه با فناوری شبیه سازی CFD (Computational Fluid Dynamics) بهینه می کند، نوسان گرادیان دما را در ± 3 درجه سانتیگراد کنترل می کند و به طور قابل توجهی یکنواختی میدان حرارتی و ثبات رشد کریستال را بهبود می بخشد.

3. سازگاری سفارشی و رضایت کامل از سناریو

• انطباق شکل هندسی: می تواند اشکال پیچیده مانند بشکه های حلقوی و ساختارهای سپر چند لایه را با توجه به ساختار کوره مشتریان برای دستیابی به تطابق و نصب کامل پردازش کند.
• سفارشی سازی فرآیند سطح: خدمات شخصی سازی شده برای تصفیه سطح مانند پرداخت فوق العاده دقیق و پوشش های ویژه را ارائه می دهد که مقاومت در برابر خوردگی و عمر مفید محصول را تا حد زیادی افزایش می دهد.

4. عملکرد تأیید شده و کارایی ارتقا یافته است

• هنگامی که به عنوان یک جزء میدان حرارتی هسته در فرآیند تبلور PVT SiC استفاده می شود، در سناریوهای عملی تأیید شده است:
• نرخ رشد کریستال در مقایسه با محصولات سنتی گرافیت 15 تا 20 درصد افزایش یافته است و چرخه تولید را به طور قابل توجهی کوتاه می کند.
• عملکرد ویفرهای تک کریستال SiC 4 اینچی از 90 درصد فراتر رفته و به طور موثر هزینه های تولید را کاهش می دهد.
• چرخه تعمیر و نگهداری تجهیزات از 3 ماه معمولی به 6 ماه افزایش یافته است که باعث کاهش فرکانس تعمیر و نگهداری خاموش و بهبود بهره وری تولید می شود.
  
  

سناریوهای کاربردی

• مجموعه کوره رشد PVT: به عنوان جزء اصلی برای تصعید مواد SiC و رشد کریستال عمل می کند و توزیع میدان حرارتی پایدار و یکنواخت را برای اطمینان از پیشرفت روان فرآیند تبلور فراهم می کند.
• مولفه محافظ میدان حرارتی: ساختار متخلخل منحصر به فرد می تواند به طور موثر تنش حرارتی را کاهش دهد، سایش تجهیزات را کاهش دهد و طول عمر کلی تجهیزات را افزایش دهد.
• لوازم جانبی پشتیبانی از کریستال بذر: دارای استحکام مکانیکی بالایی برای پشتیبانی پایدار از کریستال های بذر و اطمینان از دقت رشد جهت دار کریستال.
• لایه انتشار گاز: راندمان انتقال فاز گاز را بهینه می کند، تصعید و رسوب یکنواخت مواد خام را تقویت می کند و کیفیت و سرعت رشد تک کریستال را بهبود می بخشد.

پارامترهای فنی

نکات اصلی رقابتی

• عملکرد فوق العاده در دمای بالا: پایداری ساختاری را در دمای 2200 درجه سانتیگراد بدون نرم شدن یا تغییر شکل حفظ می کند و از عملیات مداوم برای بیش از 1000 ساعت پشتیبانی می کند تا نیازهای فرآیند شدید را برآورده کند.
• راه حل سفارشی سازی شده میدان حرارتی: برای بهینه سازی طراحی گرادیان منافذ، مطابقت دقیق نیازهای فرآیند مشتریان و بهبود یکنواختی کریستال و بازده محصول، به فناوری شبیه سازی CFD متکی است.
• خدمات پاسخ سریع: خدمات تست تطبیق پارامترهای فرآیند را ارائه می دهد و راه حل های نمونه اولیه را در عرض 72 ساعت ارائه می دهد و به مشتریان کمک می کند تا فرآیندهای تحقیق و توسعه و تولید را تسریع کنند.