کوره رشد کریستال SiC گرمایش مقاومتی با اندازه بزرگ

پارامترهای فنی

مزایای اصلی

 ● سازگاری با اندازه کامل

رشد پایدار کریستال های کاربید سیلیکون 6 اینچی، 8 اینچی و 12 اینچی را امکان پذیر می کند که کاملاً با سیستم های مواد رسانا، نیمه عایق و نوع N سازگار است. نیازهای تولید محصولات با مشخصات مختلف را پوشش می دهد و با سناریوهای کاربردی متنوع سازگار می شود.

● ثبات فرآیند قوی

کریستال های 8 اینچی دارای قوام پلی تایپ 4H عالی، شکل سطح پایدار و تکرارپذیری بالا هستند. فناوری رشد کریستال کاربید سیلیکون 12 اینچی تأیید را با امکان سنجی تولید انبوه بالا تکمیل کرده است.

● نرخ نقص کریستال پایین

از طریق کنترل دقیق دما، فشار و توان، عیوب کریستال به طور موثر با شاخص‌های کلیدی مطابق با استانداردهای EPD=1435 ea/cm²، BPD=381 ea/cm²، TSD=0 ea/cm² و TED=1054 ea/cm² کاهش می‌یابد. همه نشانگرهای نقص الزامات کیفیت کریستال درجه بالا را برآورده می کنند و عملکرد شمش را به طور قابل توجهی بهبود می بخشند.

● هزینه های عملیاتی قابل کنترل

کمترین مصرف انرژی را در بین محصولات مشابه دارد. اجزای اصلی (مانند سپرهای عایق حرارتی) چرخه جایگزینی طولانی 6-12 ماهه دارند که هزینه های عملیاتی جامع را کاهش می دهد.

● Plug-and-Play راحتی

بسته‌های دستور و فرآیند سفارشی بر اساس ویژگی‌های تجهیزات، تأیید شده از طریق تولید طولانی‌مدت و چند دسته، امکان تولید فوری پس از نصب را فراهم می‌کند.

● ایمنی و قابلیت اطمینان

برای از بین بردن خطرات احتمالی ایمنی، یک طراحی خاص ضد قوس جرقه را اتخاذ می کند. نظارت بر زمان واقعی و عملکردهای هشدار اولیه به طور فعال از خطرات عملیاتی جلوگیری می کند.

● عملکرد عالی خلاء

شاخص‌های نهایی افزایش خلاء و فشار از سطوح پیشرو بین‌المللی فراتر رفته و محیطی تمیز را برای رشد کریستال تضمین می‌کند.

● بهره برداری و نگهداری هوشمند

دارای یک رابط بصری HMI همراه با ضبط اطلاعات جامع است که از عملکردهای نظارت از راه دور اختیاری برای مدیریت تولید کارآمد و راحت پشتیبانی می کند.

نمایش بصری عملکرد هسته

منحنی دقت کنترل دما

دقت کنترل دما در کوره رشد کریستال ≤ ± 0.3 درجه سانتیگراد. نمای کلی منحنی دما

نمودار دقت کنترل فشار

دقت کنترل فشار کوره رشد کریستال: 1.0 Torr، دقت کنترل فشار: 0.001 Torr

دقت پایداری نیرو

ثبات و سازگاری بین کوره ها / دسته ها: دقت پایداری قدرت

در وضعیت رشد کریستال، دقت کنترل توان در طول رشد کریستال پایدار 0.15 ± است.

فروشگاه محصولات Veteksemicon