در فرآیند اصلی رشد اپیتاکسیال کاربید سیلیکون، Veteksemicon درک میکند که عملکرد susceptor مستقیماً کیفیت و کارایی تولید لایه همپایی را تعیین میکند. گیرنده های EPI با خلوص بالا، که به طور خاص برای میدان SiC طراحی شده اند، از یک بستر گرافیت ویژه و یک پوشش متراکم CVD SiC استفاده می کنند. آنها با پایداری حرارتی عالی، مقاومت در برابر خوردگی عالی و نرخ تولید ذرات بسیار پایین، ضخامت بینظیر و یکنواختی دوپینگ را برای مشتریان حتی در محیطهای سخت فرآیند با دمای بالا تضمین میکنند. انتخاب Veteksemicon به معنای انتخاب سنگ بنای قابلیت اطمینان و عملکرد برای فرآیندهای تولید نیمه هادی پیشرفته است.
✔ برنامه: برای دستیابی به عملکرد و بازده نهایی در فرآیندهای اپیتاکسیال SiC، Veteksemicon EPI Susceptor پایداری و یکنواختی حرارتی عالی را فراهم میکند و به یک پشتیبان کلیدی برای بهبود عملکرد دستگاههای قدرت و RF و کاهش هزینههای کلی تبدیل میشود.
✔ خدمات قابل ارائه: تجزیه و تحلیل سناریو برنامه مشتری، مواد تطبیق، حل مشکلات فنی.
✔ مشخصات شرکت:Veteksemicon دارای 2 آزمایشگاه، تیمی از کارشناسان با 20 سال تجربه مواد، با قابلیت تحقیق و توسعه و تولید، آزمایش و تأیید است.
پارامترهای فنی
پروژه
پارامتر
مواد پایه
گرافیت ایزواستاتیک با خلوص بالا
مواد پوشش
CVD SiC با خلوص بالا
ضخامت پوشش
سفارشی سازی برای برآورده کردن نیازهای فرآیند مشتری در دسترس است (مقدار معمول: 100±20μm).
خلوص
> 99.9995٪ (پوشش SiC)
حداکثر دمای عملیاتی
> 1650 درجه سانتیگراد
ضریب انبساط حرارتی
تطابق خوبی با ویفرهای SiC دارد
زبری سطح
Ra < 1.0 میکرومتر (قابل تنظیم در صورت درخواست)
مزایای اصلی قطعه Veteksemicon EPI Contractor
1. اطمینان از یکنواختی نهایی
در فرآیندهای اپیتاکسیال کاربید سیلیکون، حتی نوسانات ضخامت در سطح میکرون و ناهمگونی های دوپینگ به طور مستقیم بر عملکرد و بازده دستگاه نهایی تأثیر می گذارد. Veteksemicon EPI Susceptor از طریق شبیهسازی ترمودینامیکی دقیق و طراحی ساختاری، توزیع میدان حرارتی بهینه را در داخل محفظه واکنش به دست میآورد. انتخاب ما از یک بستر رسانایی حرارتی بالا، همراه با یک فرآیند تصفیه سطح منحصر به فرد، تضمین می کند که تفاوت های دما در هر نقطه از سطح ویفر در محدوده بسیار کوچکی حتی در محیط های چرخشی با سرعت بالا و دمای بالا کنترل می شود. ارزش مستقیمی که این به ارمغان می آورد، یک لایه همپایه با قابلیت تکرار بالا و دسته به دسته با یکنواختی عالی است که پایه ای محکم برای تولید تراشه های قدرت با کارایی بالا و بسیار سازگار می گذارد.
2. مقاومت در برابر چالش دمای بالا
فرآیندهای اپیتاکسیال SiC معمولاً نیاز به عملیات طولانی مدت در دمای بیش از 1500 درجه سانتیگراد دارند که چالشی جدی برای هر ماده ای ایجاد می کند. Veteksemicon Susceptor از گرافیت تحت فشار ایزواستاتیک خاص استفاده می کند که مقاومت خمشی در دمای بالا و مقاومت در برابر خزش آن بسیار بیشتر از گرافیت معمولی است. حتی پس از صدها ساعت چرخه حرارتی مداوم در دمای بالا، محصول ما هندسه اولیه و استحکام مکانیکی خود را حفظ میکند و به طور موثر از تاب خوردگی ویفر، لغزش یا خطرات آلودگی حفره فرآیند ناشی از تغییر شکل سینی جلوگیری میکند و اساساً تداوم و ایمنی فعالیتهای تولید را تضمین میکند.
3. پایداری فرآیند را به حداکثر برسانید
وقفه در تولید و تعمیر و نگهداری برنامهریزی نشده از عوامل اصلی کاهش هزینه در تولید ویفر هستند. Veteksemicon ثبات فرآیند را یک معیار اصلی برای Susceptor در نظر میگیرد. پوشش اختراع شده CVD SiC ما متراکم، غیر متخلخل و دارای سطح صاف آینه مانند است. این نه تنها ریزش ذرات تحت جریان هوای با دمای بالا را به طور قابل توجهی کاهش می دهد، بلکه به طور قابل توجهی چسبندگی محصولات جانبی واکنش (مانند SiC پلی کریستالی) را به سطح سینی کاهش می دهد. این بدان معناست که محفظه واکنش شما می تواند برای مدت طولانی تری تمیز بماند و فواصل زمانی بین تمیز کردن و تعمیر و نگهداری منظم را افزایش دهد و در نتیجه استفاده و توان عملیاتی کلی تجهیزات را بهبود بخشد.
4. عمر سرویس را افزایش دهید
به عنوان یک جزء مصرفی، فرکانس جایگزینی گیرنده ها به طور مستقیم بر هزینه های عملیاتی تولید تأثیر می گذارد. Veteksemicon طول عمر محصول را از طریق یک رویکرد فناوری دوگانه افزایش می دهد: "بهینه سازی بستر" و "افزایش پوشش". یک بستر گرافیت با چگالی بالا و تخلخل کم به طور موثری نفوذ و خوردگی زیرلایه توسط گازهای فرآیند را کاهش می دهد. به طور همزمان، پوشش ضخیم و یکنواخت SiC ما به عنوان یک مانع قوی عمل می کند و به طور قابل توجهی تصعید را در دماهای بالا سرکوب می کند. آزمایش در دنیای واقعی نشان میدهد که تحت شرایط فرآیندی یکسان، گیرندههای Veteksemicon نرخ تخریب عملکرد آهستهتری و عمر مفید طولانیتری از خود نشان میدهند که منجر به کاهش هزینههای عملیاتی هر ویفر میشود.
5. تأیید صحت زنجیره زیست محیطی
راستیآزمایی زنجیره زیستمحیطی Veteksemicon EPI Susceptor Part، مواد خام را برای تولید پوشش میدهد، گواهی استاندارد بینالمللی را گذرانده است، و دارای تعدادی فناوری ثبت شده برای اطمینان از قابلیت اطمینان و پایداری آن در زمینههای نیمهرسانا و انرژیهای جدید است.
برای مشخصات فنی دقیق، کاغذهای سفید یا ترتیبات آزمایش نمونه، لطفاً با تیم پشتیبانی فنی ما تماس بگیرید تا بررسی کنید که چگونه Veteksemicon می تواند کارایی فرآیند شما را افزایش دهد.
فیلدهای برنامه اصلی
جهت برنامه
سناریوی معمولی
الکترونیک قدرت
دستگاه های قدرت مانند ماسفت های SiC و دیودهای شاتکی که در ساخت وسایل نقلیه الکتریکی و موتورهای صنعتی استفاده می شوند.
ارتباط فرکانس رادیویی
لایه های اپیتاکسیال برای در حال رشد دستگاه های تقویت کننده توان فرکانس رادیویی GaN-on-SiC (RF HEMTs) برای ایستگاه های پایه 5G و رادار.
تحقیق و توسعه پیشرفته
این در خدمت توسعه فرآیند و راستیآزمایی نسل بعدی مواد نیمهرسانا با گپ گسترده و ساختار دستگاه است.
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
ما از کوکی ها استفاده می کنیم تا تجربه مرور بهتری به شما ارائه دهیم، ترافیک سایت را تجزیه و تحلیل کنیم و محتوا را شخصی سازی کنیم. با استفاده از این سایت، شما با استفاده ما از کوکی ها موافقت می کنید. سیاست حفظ حریم خصوصی