کد QR
محصولات
با ما تماس بگیرید


فکس
+86-579-87223657

پست الکترونیک

نشانی
جاده وانگدا، خیابان زیانگ، شهرستان ووی، شهر جین هوا، استان ژجیانگ، چین
|
صنعت |
ساخت نیمه هادی (قبول کیفیت اجزای اپیتاکسی/اچینگ) |
|
فرآیند |
GaN MOCVD،اپیتاکسی SiC، پذیرش ورودی و بر روی ابزار قطعات مربوط به منطقه گرم |
|
راه حل |
چارچوب پذیرش قابل سنجش برای یکنواختی ضخامت، ذرات، خلوص و شرایط سطح |
|
خدمات |
گزارشهای GDMS/ICP-OES، دادههای ضخامت و یکنواختی، تأیید نمونه، پشتیبانی از تجزیه و تحلیل شکست |
|
نتایج |
• هدف یکنواختی ضخامت معمولی: در ± 5٪ • مرجع کنترل ذرات: سفارش ≤0.1/cm² (وابسته به فرآیند) • خلوص پوشش می تواند کمتر از 5 پی پی ام باشد. برخی از دسته ها به 99.99995٪ می رسند • معیارهای دریافتی و موارد گزارشی که در هنگام تحویل قابل بررسی هستند |
پس از انتخاب ماده، آنچه اغلب عملکرد ابزار را تعیین میکند، معیارهای قابل اندازهگیری مانند یکنواختی ضخامت، سطح ذرات و خلوص است. این مقاله ابعاد کیفیت کلیدی پوشش CVD SiC را در پذیرش و استفاده سازماندهی میکند و به حرکت از «تطابق مشخصات» به «گزارش قابل بررسی و پیشبینی خطر» کمک میکند.
نتیجه گیری اصلی:ضخامت پوشش غیر یکنواخت مقاومت حرارتی موضعی و شرایط سطح را تغییر می دهد که به نوبه خود بر یکنواختی دما و توزیع ضخامت لایه همپایه تأثیر می گذارد. یک هدف مهندسی معمولی کنترل یکنواختی ضخامت در محدوده ± 5٪ است، با نقاط اندازه گیری که در مناطق بحرانی قطعه قرار می گیرند - نه تنها به مقدار متوسط نگاه می کنند.
برای قطعات منطقه داغ مانند گیرنده ها و حلقه های پیش گرم، پوشش هم یک مانع شیمیایی و هم بخشی از مسیر حرارتی است. تحت ضخامت نامی یکسان، انحرافات زیاد بین لبه و مرکز، یا بین شیارها و نواحی صاف، میتواند تغییرات یکنواختی را در لبه پنجره فرآیند تقویت کند.
• ضخامت اسمی و محدوده تحمل (مطابق با فرآیند و ساختار قطعه)
• یکنواختی چند نقطه (توصیه می شود مرکز پوشش، لبه و مناطق انتقال ساختاری)
• آیا تفاوت بین چهره های انتقادی و غیر انتقادی در محدوده قابل قبولی است یا خیر
نتیجه گیری اصلی:کنترل ذرات نمی تواند در "ذرات کم" متوقف شود. در هنگام استفاده باید روی تمیزی سطح، تراکم و خطر پودر شدن فرود آید. عمل مهندسی اغلب از ذرات در واحد سطح، زبری سطح و یکپارچگی پوشش به عنوان آیتم های بررسی در ورودی و قبل از استفاده از ابزار استفاده می کند. سطح ذرات هدف ممکن است به ترتیب ≤0.1/cm² اشاره داشته باشد و در هر فرآیند گیاه سفت یا شل شود.
اپیتاکسی و اچینگ به ذرات حساس هستند. اگر پوشش متخلخل، ریز ترک خورده یا به صورت موضعی بیش از حد ضخیم/ نازک باشد، احتمال اینکه پس از مدتی استفاده به منبع ذرات تبدیل شود، بیشتر است. روشن کردن شرایط سطح در پذیرش دریافتی موثرتر از مقصر دانستن پس از بروز مشکلات است.
• شکل ظاهری: رنگ یکنواخت، بدون حفره های واضح، تاول یا لایه لایه شدن
• آیا زبری سطح (Ra) در محدوده توافق شده است یا خیر
• اینکه آیا اظهارات ذرات یا پاکیزگی ارائه شده است (بر اساس روشهای آزمایشی مورد توافق طرفین)
نتیجه گیری اصلی:توصیه میشود گزارشهای خلوص GDMS/ICP-OES، دادههای ضخامت و یکنواختی، ظاهر و ابعاد بحرانی را بهعنوان یک بسته ورودی استاندارد در نظر بگیرید. خلوص پوشش می تواند کمتر از 5 پی پی ام باشد. برخی از دسته ها به 99.99995٪ می رسند. گزارشها باید به قسمتها و قسمتهای خاصی برای قابلیت ردیابی نگاشت شوند.
یک لیست پذیرش اجرایی مفیدتر از یک کلمه "مطابق با مشخصات" است. موارد زیر را می توان با توجه به نیازهای کارخانه کوتاه کرد و در اسناد خرید و IQC نوشت.
|
مورد را بررسی کنید |
توضیحات |
|
نقشه برداری لات و گزارش |
تعداد گزارش منطبق بر تعداد فیزیکی; قابل ردیابی |
|
خلوص (GDMS/ICP-OES) |
ناخالصی های بحرانی در حدود توافق شده؛ خلوص پوشش می تواند کمتر از 5 پی پی ام باشد |
|
ضخامت و یکنواختی |
ضخامت اسمی برآورده شد. هدف یکنواختی معمولی در ± 5٪ |
|
ظاهر و سطح |
رنگ یکنواخت، بدون نقص قابل مشاهده؛ Ra در محدوده توافق شده |
|
ابعاد بحرانی |
برای اطمینان از تناسب ابزار، رسم یا تلورانس های یدکی OEM را مطابقت دهید |
قبل از استفاده بر روی ابزار، تایید نمونه یکنواختی دما و عملکرد ذرات همچنان توصیه می شود. گزارش گذرا عملکرد بهینه را در پنجره فرآیند تضمین نمی کند، اما می تواند تا حد زیادی شانس انتشار یک قطعه معیوب به ابزار را کاهش دهد.
نتیجه گیری اصلی:یکنواختی ضخامت، ذرات/سطح و خلوص را در بندهای پذیرش اجرایی بنویسید و نیاز به گزارشهایی برای نقشهبرداری یک به یک با تعداد زیادی دارید. هنگامی که ناهنجاری رخ می دهد، ابتدا ابزارهای دیگر را در همان قطعه و تغییرات فرآیند مقایسه کنید، سپس تصمیم بگیرید که آیا محلول مواد را ارتقا دهید یا خیر.
دنباله پیشنهادی:
1. در مشخصات خرید، تحمل ضخامت، هدف یکنواختی، روش خلوص و حدود و الزامات ظاهری را تعریف کنید.
2. در ورودی، گزارش را در برابر تعداد فیزیکی بررسی کنید. نمونه ابعاد و ظاهر بحرانی
3. پس از تغییر لات یا فرآیند جدید، یک دسته کوچک روی ابزار اجرا کنید تا ذرات و یکنواختی آن را بررسی کنید.
4. هنگامی که طول عمر یا ذرات غیرعادی هستند، داده های پوشش و شرایط کوره/فرآیند را به صورت موازی بررسی کنید. اجتناب از انتساب تک علتی
نتیجه گیری اصلی:گزارش تنها ضخامت متوسط کافی نیست. نازک شدن یا ضخیم شدن موضعی در لبه ها و مناطق انتقال ساختاری مستقیماً خطر ذرات و میدان حرارتی را افزایش می دهد. پذیرش باید یکنواختی چند نقطهای و مکانهای اندازهگیری را مشخص کند، نه تنها اینکه آیا میانگین دیسک در داخل تلورانس اسمی قرار میگیرد یا خیر.
نکته مهندسی:
پس از یکاپیتاکسی SiCخط یک مشخصات جدید را معرفی کردCVD SiC پوشش داده شده استsusceptor، IQC گزارش تأمینکننده را بررسی کرد: ضخامت اسمی و ضخامت متوسط دیسک هر دو در محدوده تحمل توافق شده بودند، خلوص GDMS تأیید شد و ظاهر هیچ ناهنجاری آشکاری را نشان نمیداد، بنابراین لات برای ابزار منتشر شد. پس از حدود بیست بار اجرا، برخی از سینی ها به طور مکرر ذرات در حال افزایش و نازک شدن لایه محلی را در ناحیه مربوط به لبه ویفر نشان دادند، در حالی که سایر سینی ها از همان لات عملکرد عادی داشتند. توزیع گاز فرآیندی در ابتدا مشکوک بود، اما زمانی که همان محفظه به سینیهای با مشخصات قدیمی بازگردانده شد، مشکل لبه به وضوح فروکش کرد و به خود قطعه جدید اشاره کرد. اندازهگیری ضخامت چند نقطه روی قطعات شکست خورده در مقابل قطعات معمولی یکسان نشان داد: میانگین دیسک در واقع مطابق با مشخصات بود، اما نقاط لبه نزدیک حلقه بیرونی به طور سیستماتیک حدود 8٪ تا 12٪ نازک بودند، که قبلاً فراتر از هدف یکنواختی داخلی کارخانه ± 5٪ بود. مناطق نازک به شدت با مناطق پر ذره همپوشانی داشتند. علت اصلی در نرخ رسوب در شیارها و حلقه بیرونی که به طور کامل برای آن ساختار کالیبره نشده است، ردیابی شد. گزارش خروجی تنها میانگین را بدون توزیع چند نقطه ای مورد توافق ارائه می کند. سپس خط "مرکز + لبه + انتقال شیار" یکنواختی چند نقطهای را در چکهای دریافتی اجباری نوشت و گزارشهایی را برای گنجاندن نقشه نقطه اندازهگیری مورد نیاز بود. پس از اینکه تامین کننده پنجره فرآیند حلقه بیرونی را در لات های بعدی تنظیم کرد، ذرات لبه و تغییرات ضخامت فیلم به سطوح تاریخی بازگشتند. این مورد نشان می دهد: میانگین در مشخصات به معنای یکنواختی در مشخصات نیست. برای گیرندههای حساس به حرارت، پذیرش بدون ضخامت چند نقطه و دادههای مکان میتواند باعث ایجاد نقصهای موضعی در خط شود. نوشتن طرح بندی نقطه اندازه گیری و هدف یکنواختی مانند ± 5٪ در مشخصات، مؤثرتر از بحث پس از آن است که آیا "گزارش قابل قبول بود".
1. آیا یکنواختی ضخامت 5% یک استاندارد اجباری است؟
این یک هدف مهندسی مشترک است، نه یک استاندارد قانونی منحصر به فرد. بر اساس ساختار قطعه و حساسیت فرآیند، میتوان با تامینکننده یک محدوده محدودتر یا کمی وسیعتر توافق کرد. آنچه مهم است پوشش نقطه اندازه گیری و قابلیت ردیابی گزارش است.
2. آیا ≤0.1/cm² برای همه فرآیندها اعمال می شود؟
این یک مرتبه مرجع از قدر است. معیارهای نهایی باید از محفظه کارخانه، فرآیند و الزامات عملکرد پیروی کنند و روش آزمایش و قوانین قضاوت در مشخصات نوشته شده باشد.
3. آیا گزارش خلوص به تنهایی کافی است؟
خیر. حداقل، خلوص، ضخامت/یکنواختی و ظاهر (به علاوه معیارهای سطح توافق شده) باید با هم در دسترس باشند. تطابق ابعادی نیز بر استفاده از ابزار تأثیر می گذارد.
4. اگر گزارش ارسال شود اما ذرات روی ابزار همچنان بالا باشند چه؟
ابتدا سایر ابزارها را در همان قسمت، تغییرات اخیر فرآیند/نگهداری و وضعیت تمیز کردن مقایسه کنید، سپس ارزیابی کنید که آیا محلول پوشش یا پنجره فرآیند نیاز به تنظیم دارد یا خیر. در صورت نیاز، صفحات خوشه انتخاب-تصمیم و سازگاری تجهیزات را بررسی کنید.
5. VeTek چه پشتیبانی مرتبط با کیفیت می تواند ارائه دهد؟
GDMS/ICP-OES و گزارشهای تحلیل مشابه، دادههای ضخامت و یکنواختی، تأیید نمونه، و ارتباطات فنی در مورد ناهنجاریها (از جمله به زبان انگلیسی) را میتوان ارائه کرد.
پس از انتخاب ماده مناسب، یکنواختی ضخامت، کنترل ذرات و خلوص تصمیم میگیرد که آیا یک قطعه معین میتواند به طور پایدار وارد پنجره فرآیند شود. نوشتن این سه مورد در بندهای پذیرش قابل بررسی و اصرار بر اینکه گزارشها به تعداد زیادی نقشه میشوند، مستقیمترین راه برای کاهش ریسک روی ابزار است.
اگر به معیارهای پذیرش برای یک بخش خاص یا کمک به تفسیر گزارش ها نیاز دارید، می توانید با تیم فنی VeTek تماس بگیرید. دکتر شیائو و تیم مهندسی می توانند در تراز مشخصات، تأیید نمونه و تجزیه و تحلیل ناهنجاری کمک کنند.
برای منطق انتخاب، نگاه کنید به:VETEK | نحوه انتخاب پوشش SiC، پوشش TaC یا جامد SiC بر اساس شرایط فرآیند; برای چارچوب کامل، صفحه ستون را ببینیدمرزهای عملکرد CVD SiC، TaC و SiC جامد در فرآیندهای اپیتاکسی و اچینگ.
منابع اصلی و منابع داده
1. مهندسی داخلی نیمه هادی VeTek و پذیرش مشتری.
2. توضیحات متریک در مورد خلوص، یکنواختی ضخامت و کنترل ذرات در کتابچه مهندسی انتخاب مواد مصرفی پوشش CVD برای تجهیزات اپیتاکسی و اچینگ نیمه هادی.
3. محصول وب سایت رسمی VeTek و مواد فنی: https://www.veteksemicon.com/silicon-carbide-coating
توجه: ارقام یکنواختی، ذرات و خلوص در متن، ارجاعات مهندسی معمولی هستند. مقادیر واقعی از مشخصات قرارداد و نتایج اندازه گیری شده پیروی می کنند.
نویسنده: تیم مهندسی فنی نیمه هادی VeTek (تکمیل شده با راهنمایی دکتر شیائو)
برای بحث فنی بیشتر یا ارزیابی نمونه، لطفا از طریق وب سایت رسمی با ما تماس بگیرید.
+86-579-87223657
جاده وانگدا، خیابان زیانگ، شهرستان ووی، شهر جین هوا، استان ژجیانگ، چین
حق چاپ © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd. تمامی حقوق محفوظ است.
Links | Sitemap | RSS | XML | سیاست حفظ حریم خصوصی |