فناوری و راه حل ها

انتخاب مناسب CVD SiC، پوشش TaC یا Solid SiC مستقیماً سطح ذرات و طول عمر اجزا را در خطوط اپیتاکسی/اچینگ تعیین می‌کند. این مقاله مرزهای انتخاب روشنی را بر اساس دما، جو و فرآیند ارائه می‌کند که با راه‌حل‌های اصلی جایگزینی تجهیزات و معیارهای کلیدی مطابقت دارد تا به شما در تصمیم‌گیری سریع و کاهش خطر کمک کند.

کشف کنید که چگونه فناوری لیزر هدایت‌شونده آب VeTek، سوراخ‌های یکنواخت Φ0.15 میلی‌متری را در بسترهای SiC 2 میلی‌متری بدون مخروطی، حداقل HAZ و بازده بالا برای کاربردهای نیمه‌رسانا ایجاد می‌کند.

چالش برانگیزترین مسئله فنی برای پین های بالابر توخالی تجهیزات نیمه هادی، پوشش سطح بیرونی نیست، بلکه دستیابی به پوشش پایدار و یکنواخت CVD در دیواره داخلی سازه توخالی است. از کنترل یکنواختی پوشش دیواره داخلی تا تضمین تمیزی سوراخ داخلی، هر مرحله فرآیند مستقیماً بر عملکرد ویفر تأثیر می گذارد. این مقاله چالش‌های اصلی پوشش دیواره داخلی پین بالابر توخالی و مسیرهای فنی کلیدی را تحلیل می‌کند.