اجزای راکتور سیاره ای SiC جامد Aixtron G10

1. ویژگی های کلیدی و مزایا

• ساختار SiC جامد کاملاً متراکم و بدون چسب برای مقاومت در برابر سایش و خوردگی

• هدایت حرارتی عالی و مقاومت در برابر شوک حرارتی در دمای بالای 1500 درجه سانتی گراد

• تولید ذرات بسیار کم و خلوص بالا، به حداقل رساندن خطر آلودگی

• بی اثری شیمیایی فوق العاده در برابر گازهای فرآیند استفاده شده در اپیتاکسی SiC

• عمر طولانی در دوچرخه سواری مکرر در دمای بالا

• تلورانس‌های ابعادی با ماشینکاری دقیق برای تناسب قابل اعتماد و ثبات فرآیند

 2. برنامه های کاربردی معمولی

این لوازم جانبی Solid SiC در بخش های عملکردی کلیدی راکتور Aixtron G10 استفاده می شود، از جمله:

• صفحات پوششی و عناصر پوششی انتخاب شده

• حلقه های محافظ و اجزای سایش بالا

• پین های دقیق، واشرها، و قطعات ساختاری کوچک

• سایر درج های سفارشی با خلوص بالا که در معرض جریان شدید گاز یا بار حرارتی قرار دارند

آنها از توزیع دمای پایدار، تحویل گاز یکنواخت و چگالی نقص کم در طول رشد همپایه SiC با حجم بالا برای ماسفت‌های قدرت، دیودها و دستگاه‌های باند گپ گسترده پشتیبانی می‌کنند.

3. چرا VeTek Solid SiC را برای Aixtron G10 انتخاب کنید؟

VeTek Semiconductor به عنوان یک تولید کننده تخصصی مواد نیمه هادی، ارائه می دهد:

• اجزای SiC جامد با خلوص بالا که برای سیستم های Aixtron G10 طراحی شده اند، به عنوان مثال: حلقه پوششی، پوشش های داخلی/خارجی، پایین کشیدن/صفحه پشتیبانی، دیسک ماهواره، گیرنده

• کنترل خلوص دقیق و ماشینکاری CNC دقیق

• راه حل های تکمیلی شامل گرافیت پوشش داده شده با سی سی سی وی دی و قطعات با پوشش TaC برای پوشش کامل میدان حرارتی

• طرح های سفارشی مطابق با شرایط فرآیند خاص و تنظیمات راکتور

لوازم جانبی Solid SiC ما به مشتریان کمک می کند تا مزایای بهره وری پلت فرم Aixtron G10 را به حداکثر برسانند - خروجی ویفر بالا، ضخامت عالی و یکنواختی دوپینگ و هزینه رقابتی مالکیت - در حالی که طول عمر قطعه را افزایش داده و از دست دادن عملکرد مرتبط با ذرات را کاهش می دهد.