قطعات یدکی فرآیند رشد کریستال تک sic

محصول Veteksemicon ،پوشش کاربید Tantalum (TAC)محصولات مربوط به فرآیند رشد کریستال تک SIC ، چالش های مرتبط با رابط رشد کریستال های کاربید سیلیکون (SIC) ، به ویژه نقص جامع که در لبه کریستال رخ می دهد ، می پردازد. با استفاده از پوشش TAC ، ما هدف ما بهبود کیفیت رشد کریستال و افزایش سطح مؤثر مرکز کریستال است که برای دستیابی به رشد سریع و ضخیم بسیار مهم است.

پوشش TAC یک راه حل اصلی فناوری برای رشد با کیفیت بالا استباکره فرآیند رشد کریستال تکبشر ما با موفقیت یک فناوری پوشش TAC را با استفاده از رسوب بخار شیمیایی (CVD) توسعه داده ایم ، که به یک سطح پیشرفته بین المللی رسیده است. TAC دارای خواص استثنایی ، از جمله نقطه ذوب بالا تا 3880 درجه سانتیگراد ، مقاومت مکانیکی عالی ، سختی و مقاومت در برابر شوک حرارتی است. همچنین در هنگام قرار گرفتن در معرض دمای بالا و موادی مانند آمونیاک ، هیدروژن و بخار حاوی سیلیکون ، بی تحرک شیمیایی و ثبات حرارتی خوبی را نشان می دهد.

vekekemicon'sپوشش کاربید Tantalum (TAC)راه حلی برای پرداختن به موضوعات مربوط به لبه در فرآیند رشد کریستال تک SIC ، بهبود کیفیت و کارآیی فرآیند رشد ارائه می دهد. ما با استفاده از فناوری پیشرفته پوشش TAC ، هدف ما حمایت از توسعه صنعت نیمه هادی نسل سوم و کاهش وابستگی به مواد کلیدی وارداتی هستیم.

روش Pvt Sic Single Crystal Proces قطعات یدکی:

TAC Crucible ، نگهدارنده بذر با پوشش TAC ، حلقه راهنمای پوشش TAC قطعات مهمی در کوره کریستالی SIC و AIN با روش PVT است.

● مقاومت در برابر درجه حرارت بالا

●  با خلوص بالا ، مواد اولیه SIC و کریستال های منفرد SIC را آلوده نمی کند.

●  مقاوم در برابر بخار آل و ناراحتی

●  درجه حرارت بالا (با ALN) برای کوتاه کردن چرخه آماده سازی کریستال.

●  قابل بازیافت (حداکثر 200 ساعت) ، باعث بهبود پایداری و کارآیی آماده سازی چنین کریستال های منفرد می شود.