اخبار

چگونه می توان پوشش CVD TAC را تهیه کرد؟ - Veteksemicon

پوشش CVD TAC چیست؟


پوشش CVD TACیک ماده ساختاری با درجه حرارت بالا با استحکام بالا ، مقاومت در برابر خوردگی و ثبات شیمیایی خوب است. نقطه ذوب آن به اندازه 3880 است و یکی از بالاترین ترکیبات مقاوم در برابر دما است. این ویژگی دارای خواص مکانیکی با درجه حرارت بالا عالی ، مقاومت در برابر فرسایش جریان هوا با سرعت بالا ، مقاومت به فرسایش و سازگاری شیمیایی و مکانیکی خوب با مواد کامپوزیت گرافیت و کربن/کربن است.

بنابراین ، درفرآیند اپیتاکسیال MOCVDاز LED های GAN و دستگاه های برق SIC ،پوشش CVD TACمقاومت اسید و قلیایی بسیار خوبی در برابر H2 ، HC1 و NH3 دارد که می تواند کاملاً از مواد ماتریس گرافیت محافظت کرده و محیط رشد را تصفیه کند.


پوشش CVD TAC هنوز هم بالاتر از 2000 است ، و پوشش CVD TAC شروع به تجزیه در 1200-1400 می کند ، که همچنین باعث افزایش یکپارچگی ماتریس گرافیت می شود. موسسات بزرگ همه از CVD برای تهیه پوشش CVD TAC روی بسترهای گرافیتی استفاده می کنند و ظرفیت تولید پوشش CVD TAC را برای پاسخگویی به نیازهای دستگاه های برق SIC و تجهیزات اپیتاکسیال Ganleds بیشتر می کنند.


شرایط آماده سازی پوشش کاربید CVD Tantalum


فرآیند آماده سازی پوشش CVD TAC به طور کلی از گرافیت با چگالی بالا به عنوان ماده بستر استفاده می کند و بدون نقص آماده می شودپوشش CVD TACدر سطح گرافیت به روش CVD.


فرآیند تحقق روش CVD برای تهیه پوشش CVD TAC به شرح زیر است: منبع تانتالوم جامد قرار داده شده در محفظه تبخیر در دمای معینی به گاز منتقل می شود و با سرعت مشخص جریان گاز حامل AR از محفظه تبخیر منتقل می شود. در دمای معینی ، منبع تانتالوم گازی با هیدروژن ملاقات و مخلوط می شود تا یک واکنش کاهش یابد. سرانجام ، عنصر تانتالوم کاهش یافته بر روی سطح بستر گرافیت در محفظه رسوب قرار می گیرد و یک واکنش کربن سازی در دمای معینی رخ می دهد.


پارامترهای فرآیند مانند دمای تبخیر ، سرعت جریان گاز و دمای رسوب در فرآیند پوشش CVD TAC نقش بسیار مهمی در شکل گیری دارندپوشش CVD TACبشر و پوشش TAC CVD با جهت گیری مختلط توسط رسوب بخار شیمیایی ایزوترمال در دمای 1800 درجه سانتیگراد با استفاده از یک سیستم TACL5 -H2 -AR -C3H6 تهیه شد.


روند تهیه پوشش CVD TAC



Figure 1 shows the configuration of the chemical vapor deposition (CVD) reactor and the associated gas delivery system for TaC deposition

شکل 1 پیکربندی راکتور بخار شیمیایی (CVD) و سیستم تحویل گاز مرتبط را برای رسوب TAC نشان می دهد.


Figure 2 shows the surface morphology of the CVD TaC coating at different magnifications, showing the density of the coating and the morphology of the grains

شکل 2 مورفولوژی سطح پوشش CVD TAC را در بزرگنمایی های مختلف نشان می دهد و چگالی پوشش و مورفولوژی دانه ها را نشان می دهد.


Figure 3 shows the surface morphology of the CVD TaC coating after ablation in the central area, including blurred grain boundaries and fluid molten oxides formed on the surface

شکل 3 مورفولوژی سطح پوشش CVD TAC پس از فرسایش در ناحیه مرکزی ، از جمله مرزهای دانه تاری و اکسیدهای مذاب مایع که روی سطح تشکیل شده است را نشان می دهد.


it shows the XRD patterns of the CVD TaC coating in different areas after ablation, analyzing the phase composition of the ablation products, which are mainly β-Ta2O5 and α-Ta2O5

شکل 4 الگوهای XRD از پوشش CVD TAC را در مناطق مختلف پس از فرسایش نشان می دهد ، تجزیه و تحلیل ترکیب فاز محصولات فرسایش ، که عمدتا β-TA2O5 و α-TA2O5 هستند.

اخبار مرتبط
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept