گیرنده پوشش MOCVD SiC

VETEK نیمه هادی MOCVD SIC Coanator Soinceor از کیفیت بالا ساخته شده استگرافیتکه به دلیل پایداری حرارتی و هدایت حرارتی عالی (حدود 120-150 W/m·K) انتخاب شده است. خواص ذاتی گرافیت آن را به یک ماده ایده آل برای مقاومت در برابر شرایط سخت داخل تبدیل می کندراکتورهای MOCVD. برای بهبود عملکرد و افزایش عمر مفید آن، گیره گرافیت به دقت با یک لایه کاربید سیلیکون (SiC) پوشانده شده است.

MOCVD SIC SICATION SESIPITOR یک مؤلفه کلیدی است که در آن استفاده می شودرسوب بخار شیمیایی (CVD)وتفرآیندهای رسوب بخار شیمیایی آلی فلزی (MOCVD).. عملکرد اصلی آن پشتیبانی و حرارت دادن ویفرهای سیلیکون یا کاربید سیلیکون (SiC) و اطمینان از رسوب یکنواخت گاز در یک محیط با دمای بالا است. این یک محصول ضروری در پردازش نیمه هادی است.

برنامه های کاربردی مستعار پوشش MOCVD SIC در پردازش نیمه هادی:

پشتیبانی و گرمایش ویفر:

گیرنده پوشش MOCVD SiC نه تنها عملکرد پشتیبانی قدرتمندی دارد، بلکه می تواند به طور موثری گرمایش کندویفربه طور مساوی برای اطمینان از پایداری فرآیند رسوب بخار شیمیایی. در طی فرآیند رسوب گذاری، رسانایی حرارتی بالای پوشش SiC می تواند به سرعت انرژی گرمایی را به هر ناحیه از ویفر منتقل کند، از گرمای بیش از حد موضعی یا دمای ناکافی جلوگیری کند، در نتیجه اطمینان حاصل شود که گاز شیمیایی می تواند به طور یکنواخت روی سطح ویفر رسوب کند. این اثر گرمایش و رسوب یکنواخت به میزان زیادی قوام پردازش ویفر را بهبود می بخشد، ضخامت لایه سطحی هر ویفر را یکنواخت می کند و میزان نقص را کاهش می دهد، عملکرد تولید و قابلیت اطمینان عملکرد دستگاه های نیمه هادی را بهبود می بخشد.

رشد:

درفرآیند MOCVDحامل های پوشش داده شده SIC مؤلفه های اصلی در فرآیند رشد اپیتاکس هستند. آنها به طور خاص برای پشتیبانی و گرم کردن ویفرهای کاربید سیلیکون و سیلیکون مورد استفاده قرار می گیرند ، و اطمینان می دهند که مواد موجود در فاز بخار شیمیایی می توانند به طور یکنواخت و با دقت در سطح ویفر قرار بگیرند و از این طریق ساختارهای فیلم نازک با کیفیت بالا و بدون نقص تشکیل می دهند. پوشش های SIC نه تنها در برابر درجه حرارت بالا مقاوم هستند ، بلکه پایداری شیمیایی را در محیط های فرآیند پیچیده نیز حفظ می کنند تا از آلودگی و خوردگی جلوگیری شود. بنابراین ، حامل های پوشش داده شده SIC نقش مهمی در فرآیند رشد اپیتاکس از دستگاههای نیمه هادی با دقت بالا مانند دستگاه های قدرت SIC (مانند MOSFETS SIC و دیود) ، LED ها (به ویژه LED های آبی و ماوراء بنفش) و سلولهای خورشیدی فتوولتائیک دارند.

نیترید گالیم (GaN)و گالیم آرسنید (GaAs) اپیتاکسی:

حامل های پوشش داده شده SIC به دلیل هدایت حرارتی عالی و ضریب انبساط حرارتی کم ، یک انتخاب ضروری برای رشد لایه های اپیتاکسیال GAN و GAAS هستند. هدایت حرارتی کارآمد آنها می تواند به طور مساوی گرما را در طول رشد اپیتاکسی توزیع کند ، و اطمینان حاصل کند که هر لایه از مواد رسوب شده می تواند به طور یکنواخت در دمای کنترل شده رشد کند. در عین حال ، انبساط حرارتی کم SIC به آن اجازه می دهد تا تحت تغییر دمای شدید ، از نظر ابعادی پایدار بماند ، به طور موثری خطر تغییر شکل ویفر را کاهش می دهد و از این طریق از کیفیت بالا و قوام لایه اپیتاکسیال اطمینان می دهد. این ویژگی باعث می شود حامل های پوشیده از SIC یک انتخاب ایده آل برای تولید دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا و پر قدرت (مانند دستگاه های GAN Hemt) و ارتباطات نوری و دستگاه های نوری (مانند لیزرهای مبتنی بر GAAS و آشکارساز) باشند.

آن نیمه هادی استفروشگاه های حساس روکش SIC MOCVD: