حلقه راهنمای سه گلبرگ CVD TAC روکش شده

مواد بستر تک کریستالی کاربید سیلیکون نوعی ماده کریستالی است که متعلق به مواد نیمه هادی باند گسترده است. این مزیت از مقاومت ولتاژ بالا ، مقاومت در برابر دمای بالا ، فرکانس بالا ، از دست دادن کم و غیره دارد. این یک ماده اساسی برای تهیه دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا و دستگاه های فرکانس رادیویی مایکروویو است. در حال حاضر ، روش های اصلی برای رشد کریستال های SIC انتقال بخار فیزیکی (روش PVT) ، رسوب بخار شیمیایی با درجه حرارت بالا (روش HTCVD) ، روش فاز مایع و غیره است.

روش حمل و نقل بخار فیزیکی (PVT) یک تکنیک چاه است که برای تولید صنعتی در مقیاس بزرگ بسیار مناسب است. در این فرآیند ، یک کریستال بذر SIC در قسمت بالای Crucible قرار می گیرد ، در حالی که پودر SIC ، که به عنوان ماده اولیه سرو می شود ، در قسمت زیرین قرار می گیرد. در شرایط درجه حرارت بالا و فشار کم در یک محیط بسته ، پودر SIC تصویب می شود. با استفاده از گرادیان دما و اختلاف غلظت ، گونه های تصعید شده به سمت بالا به سمت منطقه در نزدیکی کریستال بذر حرکت می کنند. پس از رسیدن به یک حالت اشباع نشده ، تبلور مجدد رخ می دهد و امکان کنترل دقیق بر اندازه و نوع کریستال خاص کریستال های SIC رشد یافته را فراهم می کند.

CVD TAC پوشش سه - راهنمای گلبرگ را پوشش می دهد. در درجه اول ، با هدایت جریان گاز ، مکانیک سیالات را تقویت می کند و اطمینان حاصل می کند که منطقه رشد کریستال در معرض جو یکنواخت قرار دارد. علاوه بر این ، به طور موثری گرما را در طی فرآیند رشد کریستال SIC از بین می برد. با حفظ گرادیان دما مناسب ، شرایط رشد کریستال های SIC را بهینه می کند و خطر نقص کریستالی ناشی از توزیع دما ناهموار را کاهش می دهد.