گیرنده MOCVD Aixtron

Susceptors تولید شده توسطنیمه هادی وتکاز بستر گرافیت و مواد پوشش کاربید سیلیکون (SiC) ساخته شده اند. با توجه به مقاومت در برابر سایش، مقاومت در برابر خوردگی و سختی بسیار بالای مواد SiC، به ویژه برای استفاده در محیط های فرآیند سخت مناسب است. بنابراین، Susceptors تولید شده توسط Vetek Semiconductor را می توان به طور مستقیم در فرآیندهای MOCVD در دمای بالا بدون عملیات سطح اضافی مورد استفاده قرار داد.

گیرنده ها اجزای کلیدی در تولید نیمه هادی ها هستند، به ویژه در تجهیزات MOCVD برای فرآیندهای رسوب لایه نازک. نقش اصلی ازAixstron: بنابراین پشتیبانیدر فرآیند MOCVD حمل ویفرهای نیمه هادی ، اطمینان از رسوب یکنواخت و با کیفیت بالا فیلم های نازک با ارائه توزیع حرارت و واکنش یکنواخت و در نتیجه دستیابی به تولید فیلم نازک با کیفیت بالا است.

پشتیبانی Aixstron MOCVDمعمولاً برای پشتیبانی و رفع پایه ویفرهای نیمه هادی برای اطمینان از پایداری ویفر در طی فرآیند رسوب استفاده می شود. در همان زمان ، پوشش سطح Aixstron Mocvd Susinceor از کاربید سیلیکون (SIC) ساخته شده است ، یک ماده بسیار رسانا از نظر حرارتی. پوشش SIC دمای یکنواخت را در سطح ویفر تضمین می کند و گرمایش یکنواخت برای به دست آوردن فیلم های با کیفیت بالا ضروری است.

علاوه بر این ،پشتیبانی Aixstron MOCVDما نقش بیشتری در کنترل جریان و توزیع گازهای واکنشی از طریق طراحی بهینه شده مواد بازی می کنیم. برای دستیابی به رسوب یکنواخت فیلم ، از جریانهای گرداب و شیب دما خودداری کنید.

مهمتر از همه ، در فرآیند MOCVD ، مواد پوشش کاربید سیلیکون (SIC) دارای مقاومت در برابر خوردگی است ، بنابرایننیمه هادی وتک'sپشتیبانی Aixstron MOCVDهمچنین می تواند دماهای بالا و گازهای خورنده را تحمل کند.

خصوصیات بدنی اساسی ازروکش:

فروشگاه های قایق ویفر نیمه هادی VeTek:

نمای کلی زنجیره صنعت Epitaxy تراشه نیمه هادی: