اخبار

در دوره ای از توسعه سریع فناوری ، چاپ سه بعدی ، به عنوان نماینده مهم فناوری تولید پیشرفته ، به تدریج چهره تولید سنتی را تغییر می دهد. با بلوغ مداوم فناوری و کاهش هزینه ها ، فناوری چاپ سه بعدی چشم انداز کاربردهای گسترده ای را در بسیاری از زمینه ها از جمله هوافضا ، تولید خودرو ، تجهیزات پزشکی و طراحی معماری نشان داده و نوآوری و توسعه این صنایع را ارتقا داده است.

مواد تک کریستالی به تنهایی نمی توانند نیازهای تولید رو به رشد دستگاه های نیمه هادی مختلف را برآورده کنند. در پایان سال 1959، یک لایه نازک از فناوری رشد مواد تک کریستال - رشد همپایه توسعه یافت.

کاربید سیلیکون یکی از مواد ایده آل برای ساخت دستگاه های با درجه حرارت بالا ، با فرکانس بالا ، با قدرت بالا و ولتاژ بالا است. به منظور بهبود بهره وری تولید و کاهش هزینه ها ، تهیه بسترهای کاربید با اندازه بزرگ یک جهت توسعه مهم است.

بر اساس اخبار خارج از کشور، دو منبع در 24 ژوئن فاش کردند که ByteDance با شرکت طراحی تراشه آمریکایی Broadcom برای توسعه یک پردازنده محاسباتی هوش مصنوعی پیشرفته (AI) همکاری می‌کند که به ByteDance کمک می‌کند در میان تنش‌ها بین چین، از عرضه کافی تراشه‌های سطح بالا اطمینان حاصل کند. و ایالات متحده.

به عنوان یک تولید کننده پیشرو در صنعت SiC، دینامیک مربوط به اپتوالکترونیک سانان توجه گسترده ای را در این صنعت به خود جلب کرده است. اخیراً، Sanan Optoelectronics مجموعه‌ای از آخرین پیشرفت‌ها را فاش کرده است که شامل تبدیل 8 اینچی، تولید کارخانه زیرلایه جدید، تأسیس شرکت‌های جدید، یارانه‌های دولتی و سایر جنبه‌ها می‌شود.

در رشد تک بلورهای SiC و AlN با استفاده از روش انتقال بخار فیزیکی (PVT)، اجزای حیاتی مانند بوته، نگهدارنده دانه و حلقه راهنما نقش حیاتی دارند. همانطور که در شکل 2 [1] نشان داده شده است، در طول فرآیند PVT، کریستال بذر در منطقه دمای پایین تر قرار می گیرد، در حالی که مواد خام SiC در معرض دماهای بالاتر (بالای 2400 ℃) قرار می گیرند.