اخبار

با بالغ شدن فرآیند 8 اینچی کاربید سیلیکون (SIC) ، تولید کنندگان در حال تسریع در تغییر از 6 اینچ به 8 اینچ هستند. به تازگی ، در نیمه هادی و Resonac به روزرسانی های مربوط به تولید 8 اینچی SIC را اعلام کردند.

در این مقاله آخرین تحولات در راکتور CVD با دیواره داغ PE1O8 به تازگی طراحی شده از شرکت ایتالیایی LPE و توانایی آن در انجام یکنواخت 4H-SIC Epitaxy در 200 میلی متر sic ارائه شده است.

با افزایش تقاضا برای مواد SIC در الکترونیک برق ، نوری الکتریک و سایر زمینه ها ، توسعه فناوری رشد کریستال تک SIC به یک منطقه اصلی نوآوری علمی و فناوری تبدیل خواهد شد. به عنوان هسته اصلی تجهیزات رشد کریستالی SIC ، طراحی میدان حرارتی همچنان توجه و تحقیقات عمیق را به خود جلب می کند.

از طریق پیشرفت مداوم فن آوری و تحقیقات مکانیسم عمیق ، انتظار می رود فناوری هتروپیتاکسیال 3C-SIC نقش مهمی در صنعت نیمه هادی داشته و توسعه دستگاه های الکترونیکی با راندمان بالا را ترویج کند.

ALD فضایی، رسوب لایه اتمی ایزوله فضایی. ویفر بین موقعیت های مختلف حرکت می کند و در هر موقعیت در معرض پیش سازهای مختلف قرار می گیرد. شکل زیر مقایسه ای بین ALD سنتی و ALD ایزوله فضایی است.

به تازگی ، موسسه تحقیقاتی آلمان Fraunhofer IISB در تحقیق و توسعه فناوری پوشش کاربید Tantalum پیشرفت کرده است و یک راه حل پوشش اسپری را تهیه کرده است که انعطاف پذیرتر و سازگار با محیط زیست از محلول رسوب CVD است و تجاری شده است.