پودر SiC با خلوص بالا برای رشد کریستال SiC

1. ویژگی های کلیدی

· سطوح خلوص بالا:قابلیت های خلوص تا 99.9999٪ (درجه 6N) می رسد.

· ناخالصی های فلزی بسیار کم:به حداقل رساندن آلودگی فلزی که برای رشد کریستال SiC بهینه شده است.

· شفافیت کامل:داده‌های آزمایش کامل GDMS (طیف‌سنجی جرمی تخلیه براق) برای هر دسته در دسترس است.

· عملکرد حرارتی پایدار:رفتار تصعید بسیار قابل پیش بینی و یکنواخت در طول دوره های رشد PVT.

· توزیع اندازه ذرات کنترل شده:گرانولومتری به دقت کنترل می شود تا چگالی بسته بندی ثابت حفظ شود.

· فرمولاسیون مناسب:اندازه ذرات سفارشی و منحنی های توزیع در صورت درخواست موجود است.

· استاندارد کیفیت نیمه هادی:به طور دقیق تحت سیستم های مدیریت کیفیت نیمه هادی تولید می شود.

2. محصولات بصری

3. مشخصات فنی

4. برنامه های کاربردی

· رشد کریستال PVT SiC:شمش SiC رسانا و نیمه عایق

· بسترهای نیمه هادی:بستر ویفر و مواد خام فرآوری اپیتاکسیال.

· اجزای حرارتی پیشرفته:اجزای سرامیکی پیشرفته و پوشش های susceptor.

· برنامه های تحقیق و توسعه:تحقیقات الکترونیک قدرت نسل بعدی و دستگاه های فرکانس بالا.

5. چرا نیمه هادی VeTek را انتخاب کنید؟

· تصفیه اختصاصی:تکنیک های تصفیه پیشرفته که خلوص 6N را برای رشد تک کریستالی ارائه می دهد.

· کنترل کیفیت دقیق:تضمین کیفیت اختصاصی با کنترل دقیق آلودگی درجه نیمه هادی.

· انعطاف پذیری سفارشی سازی:اندازه ذرات سفارشی انعطاف پذیر برای تناسب با مشخصات مختلف بوته کوره PVT.

· زنجیره تامین پایدار:ظرفیت تامین قابل اعتماد که تحویل تولید انبوه پایدار دراز مدت را تضمین می کند.

· تخصص فنی:پشتیبانی فنی کامل متناسب با فرآیندهای رشد کریستال خاص شما.