اخبار

کاربید سیلیکون یکی از مواد ایده آل برای ساخت دستگاه های با درجه حرارت بالا ، با فرکانس بالا ، با قدرت بالا و ولتاژ بالا است. به منظور بهبود بهره وری تولید و کاهش هزینه ها ، تهیه بسترهای کاربید با اندازه بزرگ یک جهت توسعه مهم است.

بر اساس اخبار خارج از کشور، دو منبع در 24 ژوئن فاش کردند که ByteDance با شرکت طراحی تراشه آمریکایی Broadcom برای توسعه یک پردازنده محاسباتی هوش مصنوعی پیشرفته (AI) همکاری می‌کند که به ByteDance کمک می‌کند در میان تنش‌ها بین چین، از عرضه کافی تراشه‌های سطح بالا اطمینان حاصل کند. و ایالات متحده.

به عنوان یک تولید کننده پیشرو در صنعت SiC، دینامیک مربوط به اپتوالکترونیک سانان توجه گسترده ای را در این صنعت به خود جلب کرده است. اخیراً، Sanan Optoelectronics مجموعه‌ای از آخرین پیشرفت‌ها را فاش کرده است که شامل تبدیل 8 اینچی، تولید کارخانه زیرلایه جدید، تأسیس شرکت‌های جدید، یارانه‌های دولتی و سایر جنبه‌ها می‌شود.

در رشد تک بلورهای SiC و AlN با استفاده از روش انتقال بخار فیزیکی (PVT)، اجزای حیاتی مانند بوته، نگهدارنده دانه و حلقه راهنما نقش حیاتی دارند. همانطور که در شکل 2 [1] نشان داده شده است، در طول فرآیند PVT، کریستال بذر در منطقه دمای پایین تر قرار می گیرد، در حالی که مواد خام SiC در معرض دماهای بالاتر (بالای 2400 ℃) قرار می گیرند.

بسترهای کاربید سیلیکون دارای نقص های زیادی هستند و به طور مستقیم قابل پردازش نیستند. برای ساخت ویفرهای تراشه ، یک فیلم نازک کریستالی خاص باید از طریق یک فرآیند اپیتاکسیال رشد یابد. این فیلم نازک لایه epitaxial است. تقریباً تمام دستگاه های کاربید سیلیکون بر روی مواد اپیتاکسیال تحقق می یابند. مواد اپیتاکسیال همگن کاربید با کیفیت بالا ، پایه و اساس توسعه دستگاه های کاربید سیلیکون است. عملکرد مواد اپیتاکسیال به طور مستقیم تحقق عملکرد دستگاه های کاربید سیلیکون را تعیین می کند.

کاربید سیلیکون در حال تغییر شکل صنعت نیمه هادی برای کاربردهای قدرت و دمای بالا ، با خاصیت جامع آن ، از بسترهای اپی کلیسا گرفته تا پوشش های محافظ تا وسایل نقلیه برقی و سیستم های انرژی تجدید پذیر است.