اخبار صنعت

در رشد تک بلورهای SiC و AlN با استفاده از روش انتقال بخار فیزیکی (PVT)، اجزای حیاتی مانند بوته، نگهدارنده دانه و حلقه راهنما نقش حیاتی دارند. همانطور که در شکل 2 [1] نشان داده شده است، در طول فرآیند PVT، کریستال بذر در منطقه دمای پایین تر قرار می گیرد، در حالی که مواد خام SiC در معرض دماهای بالاتر (بالای 2400 ℃) قرار می گیرند.

بسترهای کاربید سیلیکون دارای نقص های زیادی هستند و به طور مستقیم قابل پردازش نیستند. برای ساخت ویفرهای تراشه ، یک فیلم نازک کریستالی خاص باید از طریق یک فرآیند اپیتاکسیال رشد یابد. این فیلم نازک لایه epitaxial است. تقریباً تمام دستگاه های کاربید سیلیکون بر روی مواد اپیتاکسیال تحقق می یابند. مواد اپیتاکسیال همگن کاربید با کیفیت بالا ، پایه و اساس توسعه دستگاه های کاربید سیلیکون است. عملکرد مواد اپیتاکسیال به طور مستقیم تحقق عملکرد دستگاه های کاربید سیلیکون را تعیین می کند.

کاربید سیلیکون در حال تغییر شکل صنعت نیمه هادی برای کاربردهای قدرت و دمای بالا ، با خاصیت جامع آن ، از بسترهای اپی کلیسا گرفته تا پوشش های محافظ تا وسایل نقلیه برقی و سیستم های انرژی تجدید پذیر است.

خلوص بالا: لایه اپیتاکسیال سیلیکونی که توسط رسوب شیمیایی بخار (CVD) رشد می کند، خلوص بسیار بالا، صافی سطح بهتر و تراکم نقص کمتری نسبت به ویفرهای سنتی دارد.

کاربید سیلیکون جامد (SIC) به دلیل خاصیت فیزیکی منحصر به فرد خود به یکی از مواد اصلی تولید نیمه هادی تبدیل شده است. در زیر ، تجزیه و تحلیل از مزایا و ارزش عملی آن بر اساس خصوصیات فیزیکی و کاربردهای خاص آن در تجهیزات نیمه هادی (مانند حامل های ویفر ، سر دوش ، حلقه های تمرکز اچ و غیره) است.